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金属SOI基板とは?

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0001名無しさん@1周年NGNG
下のスレッド理系板に立てたんですが、
結局わからなかったのでこの板で聞いてみたいと思います。
金属SOI基板とはどんなものか教えていただけませんか?

1 名前:Nanashi_et_al. 投稿日:2001/07/09(月) 11:32
トランジスタの高速動作に金属SOI基板が有効だと
言われてますが、金属SOI基板がどのようなものなのか
詳しい方教えていただけませんか?
何のために金属基板上にSOIを作ってるんでしょうか?



2 名前:Nanashi_et_al. 投稿日:2001/07/09(月) 16:59
専門外でよく分からないけど確か、酸素を加速して基板に当てて
その基板の中に酸化膜層を作るんじゃなかったっけ?
そんで能動領域を狭めることによって低消費電力に
できる(ものだったような気がする)
でもこれはただのSOIか、、、
金属って何だろ?普通半導体基板じゃないの?


3 名前:1 投稿日:2001/07/09(月) 17:17
SOIがどんなものかは、知っているんですが、
このURLのページの下の方にでてくる
金属SOI基板って一体どんなものなんでしょう?
http://ne.nikkeibp.co.jp/NE/2000/000131/kouza.html


4 名前:1 投稿日:2001/07/09(月) 17:18
金属が何に使われてるか謎なんです。


5 名前:2 投稿日:2001/07/09(月) 17:47
どうでもいいけどこの研究室ドクター多いね、、
ごめん、確かに何に使われてるかわかんない。
MMICでのground planeとして使ってんのかなぁ?
金属SOI基板の構造が分からないからね、、、


6 名前:Nanashi_et_al. 投稿日:2001/07/09(月) 17:59
パワーデバイスでは放熱対策で使われる事あるけど、
普通のデバイスじゃ必要ないしねー。なんだろ。


7 名前:Nanashi_et_al. 投稿日:2001/07/10(火) 07:02
大見先生に訊いてみれば? (...って俺も知らん)
つうか、この板に立てること自体間違ってない?
俺だったら材料・物性板か機械・工学板に立てるけど。
0002Nanashi_et_al. NGNG
 埋め込み酸化膜の下が通常のSOI基板では、Si基板なところを金属に
したものが金属SOI基板といっているもののはず。Si基板だと容量が見
えてしまうので、金属にすれば高速化できるといった話だったと思ったので
すが・・・。
0003名も無きマテリアルさんNGNG
放熱って効果もあるのかな?
容量って寄生容量とかそういう話しかと思うんだけど
俺はよく理解してないが、その金属の(電気的?)特性
としてはどういうのが求められるんだろう。その他、
熱膨張も重要になってくるよね。

もっと具体的には、金属として何を使えばいいんだろう?
0004名も無きマテリアルさんNGNG
ありがとうございました。
やはり、土台が金属基板なんですね。
0005名も無きマテリアルさんNGNG
究極がそうなんだろうけど、つくるの難しそうだね。
回路の方の空気絶縁層も然り。
0006名も無きマテリアルさんNGNG
インテルとかが研究してて、金属基板酸化絶縁膜上の薄いSi膜(SOI)だと高速なトランジスタを作れるらしい。
0007名も無きマテリアルさんNGNG

「silicon on insulator」のことだろ?
0008名も無きマテリアルさんNGNG
>7
もうちょっと勉強してから、また書きこみに来てね。
0009名も無きマテリアルさんNGNG
>6
Intelのは所謂「Depleted substrate transistor」って
奴だと思うけど、基板、絶縁層ってそれぞれ材料は何なの?
おまけに一体どうやって造るの?知ってたら教えてちょんまげ。
0010名も無きマテリアルさんNGNG
>6
9だけど付けたし。
Intelのって本当に基板は金属?
0011名も無き電顕屋NGNG
SOIっていえば、スマートカットはどうなったのかな?
0012名も無きマテリアルさんNGNG
人工ダイヤモンドを基板にしても、高速化は可能だろ。
0013名も無きマテリアルさんNGNG
>>9-10
Intelのって金属じゃないっぽいよ。

>>6
もし良かったら金属だって判断した理由を教えて。
0014名も無きマテリアルさんNGNG
>9
基板はもちろんシリコンさ。
絶縁層は知らん。
0015名も無きマテリアルさんNGNG

9だけど、「もちろんシリコン」だったらスレ違いじゃん。
あなたは6さんではないのかな?
001614だがNGNG
Inteで扱っているSOIのことを言ってるのさ。
すれ違いならスマソ。
0017名も無きマテリアルさんNGNG
>>12
インテルのは、Si基板上で酸化絶縁膜、Si膜、ZrO2ゲート絶縁膜で、
各社Si膜上下の酸化絶縁材料の、さらに高速で、低漏れ電流、
つまり低発熱で低消費電力な材料を研究してて、ゲート長16nm程度で
スイッチング時間が0.5ps以下程度と非常に高速。
ダイヤモンド基板では、それほどの高速は無理では。
0018名も無きマテリアルさんNGNG
絶縁層の部分がSiO2でなくAlO3のものがあるからそれなのかも?
もしくはソース・ドレイン部分が金属のショットキートランジスターを作り込んでるのか?
気になるなぁ。
0019名も無きマテリアルさんNGNG
>>18
絶縁層が酸化膜・Al2O3・サファイヤ・窒化膜であるもの総てひっくるめてSOI。
頭に金属をつけるくらいだからもっと別のものだろ。
0020名も無きマテリアルさんNGNG
どうでもいいけど、シリコン並みに安くて大量に作れるものでないと
やっても意味ないと思われる。
0021Nanashi_et_al. NGNG
久しぶりにのぞいてみたら、まだこのスレ生きているのですね。
ttp://ne.nikkeibp.co.jp/NE/2000/000131/kouza.html
に書いてあるのが、金属SOI基板でしょ。
0022名も無きマテリアルさんNGNG
金属基板にすると半導体基板と比べて抵抗値が劇的に下がるので、
時定数が短くなるのです。SOIのばあい、活性層と支持基盤は容量
結合しており、支持基板はGNDに落とすので、結果として回路の帯
域を広げることができます。

が、この基板が使われるのは性能最優先のごく一部の製品だけに
なるでしょうな。
0023名も無きマテリアルさんNGNG
何が痛くてしょうがないヤツだ。
いちいちいちいち荒れそうなレスをするんじゃあねーぞクズが!
こっちはなぁ、クズな厨房とクズな削除人のせいでイラついてんだよ。
ヲチスレで叩きやって怒りを治めて何が悪いと言うのだ?
目糞鼻糞だろうが、荒れないよう配慮してる分お前より上等なんだよクズが!!!
氏ね!クズが!
お前のような低脳がいるから荒らしは収まらないんだよ!
つーかな、おまえは荒らしか? バカか?
あああああああああああ とにかくイラつく!!!!!!!!

全部氏ねや!!! いちいち頭の悪いまま生き延びてんじゃあないッ!!
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