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GaNの人、来てください。

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0001名も無きマテリアルさん

NGNG

GaNの成長って、なんでサファイア上なんですか？

0232名も無きマテリアルさん

NGNG

あと少しで完成．．

0233名も無きマテリアルさん

NGNG

Ｈで上手いアイコラを発見っ！(*´Д`*)ハァハァ
このコラ上手すぎ！でもワレメはまずいだろ。(*´Д`*)ハァハァ
http://homepage3.nifty.com/coco-nut/

0234名も無きマテリアルさん

NGNG

>>InNで0.7-0.8[eV]
InNのEgは0.7-0.8で決定なのですか？
異論はないのですか？

0235●

NGNG

ioffeのえらい人も
立命のえらい人もそういってる，特に立命の結晶性の評価には
ケチのつけようが無い．ただ，ab. initioが付いていっていないので
どうとも言えぬ

しかし，1.9 [eV]とのたまうよりは建設的

ふりーすたんでぃんぐの計測じゃないし…歪みとかどうなんじゃろ

0236名も無きマテリアルさん

NGNG

>>235
ふりーすたんでぃんぐの結晶はまだまだ難しいのかなぁ...

0237●

NGNG

志してみれば分かる．

0238名も無きマテリアルさん

NGNG

あげ

0239名も無きマテリアルさん

NGNG

深紫外の本命はGaN？ドット？

0240●

NGNG

UHV?
WurtziteでEg 3.45 [eV]のGaNで達成できるであろうか？

AlGaN/GaNが本命でしょう…

0241名も無きマテリアルさん

NGNG

YAG-GaN：擬白色

0242名も無きマテリアルさん

NGNG

AlNのpはできるのか？
Beでだれか実験ｷﾎﾞｰﾝ

0243●

NGNG

w-AlNっすか？

0244名も無きマテリアルさん

NGNG

wでもcでも

0245●

NGNG

c-AlNはin Directだったはずでわ…

0246名も無きマテリアルさん

NGNG

wは？

0247●

NGNG

wurziteはdirectのはず・・・

赤崎先生の御本にもそうある（ｗ

0248名も無きマテリアルさん

NGNG

GaNがFIBのビームでボコボコ膨れるんですがどうにかしてください

0249●

NGNG

TEM屋？
掘れるんでしょ？ありゃ、気合っすよ

0250●

NGNG

いましがた、IMでURLが送られて、そこにこうある。

>青色ＬＥＤ訴訟、中村教授が対価請求100億円に増額
略
>好きなことだけやりすぎて、世間というものが判っていなかった、象牙の塔に篭りすぎたある偉大な科学者の果て無き戦い。

あの頃、本当に今のような物ができるとは思わなかったし、思えなかった。
そして、このコメントは的外れだと思うし、少なくとも研究者に受け入れられない表現だと思う。

お前等はどうですか？

0251●

NGNG

俺は、 S.Nakamuraには相当の対価だと思うけどね。

一研究者として

0252名も無きマテリアルさん

NGNG

日亜もケチだと思うけど会社の研究としてやってたんだから
色々な権利は会社にあると思うよ
でなけりゃ株式会社で研究職なんて成り立たないし

プロジェクトＸでヤミ研とかで頑張った社員が
最後に対価求めて訴訟とか言ったら萎えるよ

0253●

NGNG

でもさ？

俺達ってパトロンの奴隷じゃないですよ？

0254名も無きマテリアルさん

NGNG

パトロンがいないと研究もできないし

研究費や機材、同僚のアドバイス等々の条件もあるだろうし
全部自分の成果と言い切るのもどうかと…

0255●

NGNG

それをいうとなー
III nitrideは赤崎先生が一番貢献してるもんな…

0256名も無きマテリアルさん

NGNG

age

0257名も無きマテリアルさん

NGNG

☆可愛い彼女が貴方のために・・・☆
↓　↓　↓☆見て見て☆↓　↓　↓
http://yahooo.s2.x-beat.com/linkvp/linkvp.html

0258名も無きマテリアルさん

NGNG

しかしまー中村修二がいなければ、日亜で青色LEDは実現されなかったとは言い切れるだろ。

会社にウン千億の利益をもたらし、それを独占的に続けられるような受注を営業マンが取ってきたら
その営業に会社はどれだけの報酬を支払うか？と考えると、中村修二の比じゃないんじゃないかな。
技術者の立場が低く見られがちだと思う。

私個人としては、結果はどおあれ、この裁判が技術者の立場向上に繋がる事を期待。

0259名も無きマテリアルさん

NGNG

age

0260山崎渉

NGNG

　__∧＿∧_
　|（　　＾＾）|　＜寝るぽ（＾＾）
　|＼⌒⌒⌒＼
　＼ |⌒⌒⌒~|　　　　　　　　　山崎渉
　　 ~￣￣￣￣

0261山崎渉

NGNG

　__∧＿∧_
　|（　　＾＾）|　＜寝るぽ（＾＾）
　|＼⌒⌒⌒＼
　＼ |⌒⌒⌒~|　　　　　　　　　山崎渉
　　 ~￣￣￣￣

0262名も無きマテリアルさん

NGNG

age

0263名も無きマテリアルさん

NGNG

韓国の企業が特許侵害を認めたらしいね

0264名も無きマテリアルさん

NGNG

日亜に残ってればそれ相応の出世はあっただろうね

0265名も無きマテリアルさん

NGNG

いや、あの、その、
GaNじゃなくてNbNとかTiNとかの超伝導体の
研究はもうおしまいなんでしょうか？

0266山崎渉

NGNG

　　　 (⌒V⌒)
　　　│ ＾＾ │＜これからも僕を応援して下さいね（＾＾）。
　　⊂|　　　　|つ
　　　（＿）（＿）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　山崎パン

0267名も無きマテリアルさん

NGNG

>>265
終わっていないけど、下火の感がある
材料探しは、ほぼやり尽くしたんじゃない？
超伝導は、理論的な解明と理論の指針や補助するような実験が残されている

理論はBCSから大きく展開してないんだよな・・・
実験が大きく先行している典型的な分野

0268名も無きマテリアルさん

NGNG

応物どうだった？

0269名も無きマテリアルさん

NGNG

別に変な発表はなかったと思うが、
SLMの観察の発表はどうかなぁ。
あれはちょっとやばいよね。
怪しさ大爆発。

0270名も無きマテリアルさん

NGNG

砒素系から窒素系へ切り替えようとしているMBE使いです。
MBEでGaNへのBeドープとかって低抵抗なものはできないのですか？
MBEでもMgドープが基本？GaN:Beで高抵抗になる理由は？
Beドープに成功、Beドープで失敗という論文があれば、ｷﾎﾞｰﾝ。教えて君でｽﾏｿ。

0271名も無きマテリアルさん

NGNG

サファイアってエッチング出来ないのかな？やっぱり。
MBEで削ろうにもやたら時間がかかる言うし・・・

0272●

NGNG

この間の応物でありました。

0273●

NGNG

あー、そういえばメモってたのね

1a-H-4
RF-MBE法によるnonpolar GaNへのBeドーピング
早大理工　○袖澤　純，渡　也寸雅，山水大史，吉澤銀河

N面のGaNだと高抵抗でred emissionになるけど
Ga面だとp型に

では, 無極性だとどうなるかってな話です。
結果とかとしては, 高抵抗化, red emissionこの訳として彼らは
Beがdopeされた事による格子欠陥ではないかといってました。

0274●

NGNG

砒素から乗り換える人は, Qmassで残留Asに気をつけてね.
ラジカルガンにも拘ってね.

ion getter pump, tmpの排気量も気を使ってね.

いきなり, GaAsの上とかじゃなくAl2O3で勝手を覚えてから
した方がいいですよ。

これ先達の助言

0275名も無きマテリアルさん

NGNG

うーんタメになった。ageちゃいます

0276名も無きマテリアルさん

NGNG

InNは将来、使えるのですか？

0277名も無きマテリアルさん

NGNG

>>276
移動度大なので高速デバイスに向く
バソドギャップもあれなので長波長域もカバー

でも、本当に商業ベースに乗るほど量産できるのかはまだ謎。

0278●

NGNG

デバイスに向く割には
熱に弱そうですけどね、たしか酸素にも弱いんじゃ？

0279名も無きマテリアルさん

NGNG

AlInGaNやってる人はいませんか？

0280●

NGNG

えーっと
混合率はいかほど？　あと、立方　六方？

0281名も無きマテリアルさん

NGNG

昔、InNにArﾚｰｻﾞかHe-Neﾚｰｻﾞ当てて倍波を拾って「InNが光ったぁ」
と堂々と学会発表してた香具師がいたなぁ。。。

0282名も無きマテリアルさん

NGNG

>>231
詳細ｷﾎﾞｿ。質疑応答あたりでバレて気まずい雰囲気になった？

0283名も無きマテリアルさん

NGNG

>>281
同上
記憶がないですね(w

ちなみに, 倍波だと
He-Neだと 1.0 eVあたりですね.
Arだと 1.2 eVあたり

0284名も無きマテリアルさん

NGNG

中村氏裁判勝ったね

0285名も無きマテリアルさん

NGNG

吸収係数どうなんですか？
文献等知ってられるかたおられましたらご教授ください。

0286名も無きマテリアルさん

NGNG

そろそろ応物ですね。
装置の調子が悪くて実験が進みません。

みなさん発表準備は進んでるのでしょうか？

0287白色ＬＥＤマン ◆d8f.ATICkc

NGNG

春の応物で、ＩｎＧａＮの発行機構のセッション見てたけど、
何年見ても、京大の顕微ＰＬの研究は不思議だと思う。
いや、研究自身は面白いと思うし
なんとなく観察空間がマクロスコピックからミクロになったから
局在、局在って言葉が、目に見える形で見えるのはいいんだけど、
結局、今回の改良したプローブも200 [nm]　だろ？
解像度がそれだけしか無いんなら、In原子レベルの分散はまだ見るわけないよね。
（Inは何オングストロームぐらいで並んでいる計算になるのかな？）
そんでもって、強発光部位があんなに非周期的手に点在しているんじゃ
教科書に書いてある理想モデルの量子ドットの結晶とはいえないよね…
だから、強発光している部分が、その局所空間で
ミクロレベルで量子ドットみたいな配列になっているって事？
そういう介錯って、おかしくね？
ＧａＡｓ系が転位密度の低減で非発光中心を抑制するって話なのに
ＧａＮみたいなボコボコの結晶でも、局所的な量子ドットの様なものがあれば
大きな転位密度に関わらず光るって理屈なら、
何の材料でも局所的な量子ドットの様なものがあれば光るって事になるじゃん
理論的には、そこらへんはどうなん？
教えて偉い人

0288名も無きマテリアルさん

NGNG

相分離に関してなんか言ってました？

0289名も無きマテリアルさん

NGNG

ELO-GaN(Si)の高転移領域の抵抗率ってどのぐらいですか？

0290名も無きマテリアルさん

NGNG

んなの条件によってどうにでも変わるだろ

0291応物ピンチ！

NGNG

AlGaNとGaNのヘテロ界面でできる二次元電子ガスの形成メカニズムについてわかりやすく紹介している論文やサイトや雑誌を紹介してください！
分極によってキャリアが集まるのは大体わかるんだけどさ、そのキャリアが結構多くてさ、どういう理由でどっから来れば１３乗／ｃｍ２も出るのかわからないんですよ。。。
誰か助けてください。もしくはヒントください。

0292名も無きマテリアルさん

NGNG

GaN系じゃなくても二次元電子ガスがでてくるのはわかってる？

0293応物ピンチ！

NGNG

>>292
返信ありがとうございます。実は全然わかっておりませんで。GaAs系とかの二次元
電子ガスとかですか？
研究対象がGaNというわけでなくって表面で似たようなことが起きてるかもということで
ヒントとしたいのですが、１３乗／ｃｍ２という数値について詳しく書いてあるのが手元に
ありません。なにか良いのかあれば紹介してください。

0294名も無きマテリアルさん

NGNG

答えは既に書いてある通り、AlGaN/GaN系では分極が大きいから10^13cm-2まで行くんでしょ。
>>291を読んだ感じ、その意味がわかってないというか、二次元電子ガスそのものがわかってないのでは。

二次元電子ガスは電子系の専攻の友人にHEMTってなーに？って聞けば教えてくれるよ。(アホでなきゃ)
電子系の友人がいなけりゃ、普通の電子デバイスの教科書みれば載ってるから、図書館行って読んでみれば。
キーワードはHEMT、2DEG （窒化物に特化すれば Piezo, Piezoelectric とかもあわせて)

0295応物ピンチ！

NGNG

>>294
またまたありがとうございます。HEMTなども含めいろいろさらに調べてみます。
２DEGで検索すると今までの検索でなかったのも引っかかったので感謝してます。
しかし見落としているのかどうしても「アンドープの層から分極によってでもなんでも
そんな大量にキャリアが発生する」のがなかなか書いてないんです。
分極によってキャリアが集まるのはわかります。しかしドープしてない層から13乗もの
キャリアが集まるんですかね？っていうかバルクにあるんですかね。
常識なのかも知れないんですけどそれを例えば真性キャリア密度や、欠陥密度から出る
キャリア密度などからこれだけキャリアがあってこれらを集めているんだよっていう
説明がほしいんです。
もう何がなんだかわからなくなって来ていますが一度同じような疑問やらにぶつかった
人もいると思うのですが・・・恥をしのんで質問します。。。（なんかのキッカケで
あーそういうことかとなりそうなんですがね・・・）

0296名も無きマテリアルさん

NGNG

応物ね･･･

AlGaN/GaNか･･･10^13 cm^-2か
ﾆﾔﾆﾔ (・∀・)

0297名も無きマテリアルさん

NGNG

多分、M1ぐらいなんだろうなぁと邪推　ﾆﾔﾆﾔ(・∀・)するのは可哀想なので

多分な、半導体工学のバンド図から追っていけばよいと思う。
多分, HEMTも在ると思われるし

この場合、キャリアってなんですか？
分極するとどうなりますか？

0298名も無きマテリアルさん

NGNG

矩形近似したバンド図しか知らないんじゃ。しっかりしたバンド図がかければ
ttp://nina.ecse.rpi.edu/shur/Ch5/img012.gif
ヘテロ界面にはバンドのくぼみができて、分極がなくともキャリアが集まることがイメージ的にはわかる。
これがわかってないとなると学部生並みの知識も無いのがまるわかりで、質疑応答で恥かくぞ。
先生の名誉も傷つけちゃうから最後にしっかり構ってもらうべき
AlGaAs/GaAs界面だと11乗台、分極のあるAlGaN/GaN界面だと13乗台

0299●

NGNG

おひさしゅう

JSAPのホームページから応物のプログラムを見ておもったのだけれでも
Si基板上だとオートドーピングの可能性もあり

AlGaN/GaNだと OMVPEでしょ？

0300名も無きマテリアルさん

NGNG

お、懐かしい人がいるな。
AlGaN/GaNって別にMBEでもありがちなのでは？特に超格子作ってる人達

0301●

NGNG

>300
300ｹﾞﾄｰ　ｵﾒｰ

そうでもないよ、
結局の所、転位の影響が出ない程度に厚膜積まないといけないですよね。
とすると、数マイクロは必要になるよ。

超格子をつくってからXRCでフリンジを出すのはそう難しくはないけど、
走る物を造る事とは別問題ですよ。

GaAsから入ってきた者としては、安価なバルクが入ってからがMBEの本領かな
と思いますです。

0302名も無きマテリアルさん

NGNG

応物どーだったよ

0303名も無きマテリアルさん

NGNG

もしやこの人はスレの人か？とか思って聞いていたよ。
突っ込みが厳しくて質疑応答が辛そうだった人？
俺も春にはﾆﾔﾆﾔ(・∀・)されているかもな。

0304●

NGNG

応物でました。
ここ数年来微妙にジャンルが違う所で働いているので、4日目だけ窒化物でました。

新鮮かなぁと思っていましたら、ここ数年変わってないなぁと思いましたです。

結論にもう何年「転位のせいです」といわれつづけるのかしら？

でも、上智のナノロッドでしたっけ？あれは面白いなぁと

0305名も無きマテリアルさん

NGNG

予稿集しか見てないんだけど、あれ本当に橙に光ってたん？

0306あぼーん

NGNG

あぼーん

0307名も無きマテリアルさん

NGNG

締め切りは明日ですよ

0308名も無きマテリアルさん

NGNG

おやびんから返事が返ってこねええええ
独断でだしちまおうか

0309名も無きマテリアルさん

NGNG

スレ前半でGaNの研究なんか就職に何の役にも立たないってありますけど
一体何の研究すれば役に立つんですか？？
C言語でデバイスシミュレーションをする研究室なんですけど
来年から卒研なので研究テーマに悩んでます。

0310●

NGNG

>デバイスシミュレーション
あれかなー、ピエゾのある系をどこまで再現できるかだと思いますね。

SiとかGaAsと比べると大変じゃないですかね、
物性値も結構、文献で異なってきますよね。

>一体何の研究すれば役に立つんですか？？
化合物半導体の先輩格のGaAsと比較して、デバイス先行で、
いろんな所でサイエンスされてないと感じます。
だから、Aという所ではLT-AlNが非常に良いのにNという所では
LT-GaNの方が寧ろいいという。

では、どこが違うのか、何でそうなるのかという明確な理由づけ
がなされていない・・・

詰る所、我々実験屋が理論屋の興味を引ける結果を出せていない
からでしょうか・・・

0311名も無きマテリアルさん

NGNG

>309
TR大のF研さんですか？

0312名も無きマテリアルさん

05/01/24 01:27:18

どこかの大学で、GaN成長をICBでやってる研究室があるって
聞いたんだけどしってる？

0313名も無きマテリアルさん

05/01/26 13:39:05

ICBってひょっとしてイオンクラスタービームのこと？

0314名も無きマテリアルさん

05/02/14 22:38:02

情報工学科なんですけど半導体の研究室に配属されてしまいました…。
どうやら>>310さんのようにデバイスのシミュレーションをやるみたいなんですけど
一体どのデバイスを研究対象にすれば良いでしょう？
諸先輩方はキンク現象やゲートラグ？の解析、SeZn、InP、GaN、GaAsの解析をしてるみたいです。。

0315314

05/02/14 22:39:49

どのデバイスを研究対象にすれば良いでしょうとか言われても困りますよねｗ
学会での発表を積極的にすることになると思うので将来性があるものって何でしょう？って感じでご教授ください。

0316名も無きマテリアルさん

05/02/15 01:31:45

局在励起子モデルって正しいの？

0317名も無きマテリアルさん

05/02/15 17:59:43

おれはキャンサーの方が成長しそうだよ。

0318●

05/02/20 14:41:41

>>314
> 学会での発表を積極的にすることになると思うので将来性があるものって何でしょう？
バカセ過程に進むとおっしゃると?
博士課程はやめておいたほうが良いような…

> 一体どのデバイスを研究対象にすれば良いでしょう？
高電界型HEMTとか?

仮想デバイスを作って、実際のデバイスと比較するという趣旨で
出来るだけ楽に修士課程まで出たいと仰るのでしたら, GaAsのようにある程度枯れた材料
の方が良いと思います。

結果が出ないかもしれないけど、茨の道を歩めるとかモデルを考案できる才能が
自分にはあると仰るのでしたら h-nitridesでも宜しいでしょうし,
出来るか分かりませんがc-nitirdesとかでも良いと思います。

是非, 後者の方に

0319名も無きマテリアルさん

05/02/27 15:58:12

Ga面とN面の硬度は他の材料と比較してどのくらいの値なのか
知っている方教えて頂けないでしょうか。

0320●

05/02/27 17:48:50

polatiryと硬度に関係はないと思います。

表面の平坦性とか, 光物性は成長中のGa, N adatomに
大いに寄与するでしょうから変わってくるでしょうが

通常OM(MO)VPEで成長させると, Ga面が出ますし
硬度を測った報告でしたらOM(MO)VPE grown GaNでしょう.

0321名も無きマテリアルさん

05/03/02 01:07:57

キャリアの拡散距離が極めて短いから、InGaNにおける高発光効率と転位・欠陥との相関性は結局無いんですか？

0322名も無きマテリアルさん

05/03/02 01:10:20

それを次回の応物で発表してくれたまえ

0323名も無きマテリアルさん

05/03/04 20:11:56

京大の人が主張してたやつかな？

0324名も無きマテリアルさん

2005/03/26(土) 22:08:00

AlGaN、GaN、InGaNの欠陥で、転位以外の欠陥について、ぶっちゃけてくれ。
vacancyとかinterstitialとか、そんなのは要らん。
実際にやってる人はもっと色々見てるだろ。
よくわからなさ過ぎて、発表すら出来なさそうなことを教えてくれ。

0325名も無きマテリアルさん

2005/04/10(日) 09:38:10

ガリウム高騰始まったみたいだけど。酸化亜鉛に負けかな？

0326中の人

2005/04/15(金) 12:22:44

川崎研の方、利益誘導は辞めて下さい（ｗｗｗｗｗｗ

0327名も無きマテリアルさん

2005/04/17(日) 21:15:00

>>324
黒くなることはしょっちゅうですが何か？

0328名も無きマテリアルさん

2005/04/17(日) 21:31:19

フラックス法の中の人
ｷﾀｰ？

0329名も無きマテリアルさん

2005/05/14(土) 01:50:39

発光機構ｷﾀ━━━━━(ﾟ(ﾟ∀(ﾟ∀ﾟ(☆∀☆)ﾟ∀ﾟ)∀ﾟ)ﾟ)━━━━━!!

0330名も無きマテリアルさん

2005/05/14(土) 12:11:00

どこの論文誌の話？学会？

0331名も無きマテリアルさん

2005/06/01(水) 00:35:28

転位が局在準位作って発光するってまじでじま？
確か2～3eV…。

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