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ITOについて

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0001名も無きマテリアルさんNGNG
ITO薄膜をスパッタする際の酸素分圧と抵抗率についての関係をおしえてくださいませんか？
分圧がなぜ高いと抵抗率が上がるのか。。。
文献を読んでもみあたらないのです。。。。
おねがいいたします！
0002名も無きマテリアルさんNGNG
酸素欠陥濃度が下がるからじゃないの？
0003名も無きマテリアルさんNGNG
酸素欠陥濃度が下がると導電率が下がるのですか。
生成したITO膜の酸素量が増えることで酸素欠陥濃度が下がるってことですか？
ごめんなさい、、、基本的なところもわかんないんです。。
キャリア密度とかと関係ありますか？
0004名も無きマテリアルさんNGNG
分圧低くなっても抵抗値あがりますよね。
0005名も無きマテリアルさんNGNG
ITOがこれに該当するのかどうか知らないけど、酸素欠陥濃度が下がると、電気的中性条件を満たすためにn型キャリアの密度が下がる。
Vo++＋O2(g)+2e- → Oo×って感じ。テキストベースだとクレーガーフィンクの標式では書けないけど、意味は分かるよね？
ルシャトリエの法則で考えてもいいし、平衡定数を考えてもいいけど、Po2↑なら反応は右向きに進みやすくなるね。

ってことです。
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