レス違いかもしれませんが宜しくお願いします。
半導体素子分離のＳＴＩで、Liner Oxをつけた後は、
Si基盤は、通常tensileなstressがかかるはずなのですが、
かなりの文献で、compressiveと書かれています。
どうしてcompressiveなのか教えてください。