酸素欠陥について
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0001名も無きマテリアルさん
NGNG詳しいメカニズム教えて下さい。
たとえばどのようにして電子が生じるとか・・・
0002名も無きマテリアルさん
NGNG0003名無しさん＠１周年
NGNG0004名も無きマテリアルさん
NGNG酸素イオンが分子状酸素になる反応式は、
2O2-→O2+4e
なわけですが、二つの酸素イオンが結びついて、ひとつの分子状酸素になるとき、
イオンの外の方にあった余剰な電子二つを吐き出します。
なので、酸素欠陥が生じると電子が生じます。
別の見方も出来ます。
Kroeger（oウムラウトの代理表記ってこれで良かったッけ？）-Vinkの表式と呼ばれる表現方法では、
バルク全体が電気的中性条件を保つときに、個々のイオンの標準的な状態を電気的な基準点に持ってきて考えます。
例えば、酸素イオンは普通は-2価のチャージを持っていますが、この状態をゼロだと考えてやると、酸素イオン空孔が
出来るということは、+2価の欠陥が出来ると考えられるわけです。
そうすると、電気的中性条件を保つために電子2個が供給される必要があるということになります。
この電子は、酸素イオン空孔が形成されるときに、分子化して出ていく酸素イオンの置き土産と見てもいいでしょう。
2さんが言われている欠陥方程式で言うと、Oo×→2Vo:+4e＋O2（ホントは上付になるんだけど。：は寝るし。）です。
まあ、どの状態に基準を取るかによって表記は若干変わってきますが、基本的には同じことです。
あと、Shottky欠陥（空孔対）を作ると、出来る電子の数は変わります。
質問の意味がイマイチ拾いにくいのですが、マクロ的にはこんな解釈で良いと思います。
合ってる？>>2さん
電子論的な意味でのメカニズムが質問の主旨なら、私はあまり詳しくないんでパスします。
ちなみに、3の方は何が言いたかったのか、自分には分からなかったです。
良ければ教えてください。
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