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ZnOとIn2O3

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0001名無しさん@1周年 NGNG
半導体の分野ではZnO:AlであったりITOなるものが
幅広くりようされていますが、
酸化性雰囲気において熱的安定性という部分では
ITO膜がかなりいいということを聞きました。
Znがからんでくると、高温にした場合かなり抵抗率があがるそうですが、
なぜなんでしょう?
Znは熱に弱いの??
誰か教えて下さい。
0002名無しさん@1周年 NGNG
酸素抜けが少なくなって半導体の性質が大きくなるからでないの?
基本的に、ZnOは酸素欠損で電気が流れるんだから。
0003名無しさん@1周年 NGNG
>2
反対に抜けてるところに酸素がはいってくるとはかんがえられない??
酸素吸収によってfreeな電子がトラップされるとか。
0004名無しさん@1周年 NGNG
>3
それは反対になってないっす。
酸素抜けが少ない=酸素が入ってくる。

ZnOは、酸素欠陥起因のn型伝導体だから、
Vo++(本来ならいるはずのO2-がいないから++)とバランスする2e-が
出来てて、2e-が伝導性を生む。
でも、単一のZnOの場合には、Vo++って熱平衡によって決まるから、
温度が上がるとVo++は増加するんと思います。
そうすると、2,3の話とは逆になりますね。

In酸化物(In2O3)がp型で、空孔ないしは格子間原子濃度の温度依存性が
ZnOよりも低ければ、1のような現象が起こりうると思うんだけど違うのかな?
0005名無しさん@1周年 NGNG
In酸化物はn型半導体です。
酸素吸収のほかにも抵抗率が変化する起因となるものはないのでしょうか?
00064NGNG
バレンスの変化(ワグナー・ハウフェ効果)は?
0007名無しさん@1周年NGNG
恥ずかしながらワグナー・ハウフェ効果というものは
初めて聞きました。
できればどういったものか教えてもらえれば幸いです。
00084NGNG
バレンスの違う元素が入ってると、電気的中性条件を保持するために、空孔濃度が
変わるって効果です。
クレーガー・フィンクプロット(ブラウアー図)とかの前後に載ってると思います。

もし、テキストを読まれるなら、この近所のスレにあったしょうかぼうのテキストがお薦めです。
0009実習生さんNGNG
なんかいいこと書いてあるなぁ。
ところで、ZnOを光・電気測定するための透明電極に使おうと思うんですが、
何か問題あるでしょうか?それと、φ200ぐらいのZnOターゲーットって
いくらぐらいするんでしょ。
00104NGNG
2ヶ月前のスレを掘り起こされましたね。

私はバルクの材料屋(それも専門は金属)なんで、膜特性の方は良くしりません。
で、素人考えですけど、取り出し電極部との接触電位差による腐食とかは大丈夫なんでしょうか?
ITO-Alに比べれば緩和される気はするんですが。
あと、膜応力、比抵抗、密着性、耐熱性などはOKなんでしょうか?

ZnOターゲットは、小売なら高純度化学とかを当たられれば良いと思います。
高純度化学は埼玉のメーカーだったと思います。
かなり割高ですが、カタログとかは物性値辞典に使えるぐらい品揃えは良いです。
0011実習生さんNGNG
9です。
透明だったらよいです。エレクトロリフレクタンス測定に使うので、
2日もてばいいですね。電流も基本的にそんなに流れないですし。
(表面伝って流れる程度)
いままでは金をうすーくつけてたりしてたので、耐久性とか、人間
によるテクの差があったんです。それをなくしたいんです。
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