>>38
ＩＧＺＯはInやZnの広いＳ軌道を利用しているから、アモルファス状態
でもそれなりの移動度が出る＝低温でも形成可能という理屈。
むしろ下手に結晶化させると粒界散乱の影響で移動度落ちる？
また、確かにＩｎを含んでいるうちは資源的に心配。
ＺｎやＧａだけでできればいいと思うけど。

また、低分子（高分子もか？）有機半導体は酸素や水に弱いという欠点がある。
室温で放置してるだけなのに、Ｏｎ/Ｏｆｆがぐんぐん悪化していく。
ＩＧＺＯなどの無機半導体はこの点でかなり有利な気がする。

とはいえ、実際ＩＧＺＯなどを扱ったことないからどうかは知らないが。
誰か知ってる人いたら教えて。