有機トランジスタ(OFET)ってどう？
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0001Nanashi_et_al.：
2006/02/01(水) 00:04:58無機を超える日は来るのでしょうか？
まだまだ道は長い。
0002名も無きマテリアルさん
2006/02/01(水) 23:07:42申し訳ありません
0003名も無きマテリアルさん
2006/02/03(金) 11:11:040004名も無きマテリアルさん
2006/02/03(金) 11:13:22こんなスレを立ててくれたんだからな。
スペイン語で数字の「５」のことを「Cinco」って言うんだ。
OK、あぁ、わかってる。
お前のことだからとりあえずチンコを連想しただろ？
読み方をカタカナで表すとシンコって感じなんだが、
まぁ、今はそんなことどうだっていいんだ。
いいか、よく聞け。
これからは２ゲットの時代じゃなく、５に Cinco って書くことが流行る。
そう、５に合わせてただ Cinco とだけ書くんだ。
読み方のわからない厨房はチンコを連想するだろ？
まさにそれが狙いなんだ。
頭のいいお前には「５」ってことがわかるが、厨房には「チンコ」だ。
わかるか？それがお前と厨房の差なんだ。
これからはそうやって５をゲットすることでお前のすごさを見せ付けてほしい。
さあ
0005名も無きマテリアルさん
2006/02/03(金) 15:20:590006名も無きマテリアルさん
2006/02/03(金) 23:07:550007名も無きマテリアルさん
2006/02/04(土) 12:10:350008名も無きマテリアルさん
2006/02/04(土) 18:32:310009名も無きマテリアルさん
2006/02/05(日) 00:28:33ないだろ．
ここ数年参入するにわかさんが増えているがやることなんかもうほとんど残ってないぞ．
Pentacene薄膜トランジスタの最近のチャンピオンデータを見ても，
参入する勇気があるやつはすばらしいな．
0010名も無きマテリアルさん
2006/02/12(日) 23:26:12実際学術的にまだまだ確立されてない手探りのところが多いから、
基礎的なやること山積みな予感です。
要するに、研究するとこは大いにあるとおもいますよ。
やることがないっていうのは、
ただ単に問題意識がないのか、そこまで深く考えてないだけでしょう・・・
有機材料をうまく使いこなせるように、
是非、能力あるひと興味のある人に
真理の追究をしていってもらいたいもんですな〜。
個人的には期待してますよ、この分野
0011名も無きマテリアルさん
2006/02/13(月) 20:45:21いや，ほとんど残ってない．
手探りだと思っているのは最近の議論を知らないだけ．
少なくとも工学的に意味がある領域での議論はすでに片がついている．
2,3年前までならまだ確立されてないところがたくさんあったし，
そこら辺の解明が仕事として残っていると自分も認識していたけど，
単結晶とアモルファスのFETについての研究のおかげで
もうほとんどのデバイス動作に関する問題には工学的には答えが出てしまった．
あとは適当に分子を合成して一喜一憂するくらいのことしか残ってない．
でも，それにしたって設計指針はほとんど固まってきてるから，
結局その設計指針の正しさを確認するだけに終わることが多い．
それが物理だとか研究だというのならどうぞお好きなように．
0012名も無きマテリアルさん
2006/02/14(火) 00:01:58ちょいと脇から失礼しますよ。w
>単結晶とアモルファスのFETについての研究のおかげで
>もうほとんどのデバイス動作に関する問題には工学的には答えが出てしまった．
ここんとこが良く解らないんですが、単結晶とアモルファスのFETってもしかしてシリコンのこと？
だとしたらここ２、３年で変わったことって、最近トランジスタをやり始めた人がようやく勉強して理解してきたってこと？？
11さんの頭の進化を業界の変化みたいに言われてもな〜。
0013名も無きマテリアルさん
2006/02/14(火) 09:20:51単結晶の有機FETとアモルファスの有機TFT．
これらの系に対する実験結果とその解釈がここ数年で出始めて普及した．
このおかげで今までモルフォロジーとかドメイン境界とかでごまかされてきた議論が
大幅に精緻化した．
有機FETの動作に関する疑問も（たとえば，TOF移動度とFET移動度との差とか）
そのほとんどがこれらの系に対する議論の深まりで
物理的にはまだかもしれないが，工学的には解かれた．
0014名も無きマテリアルさん
2006/02/15(水) 00:13:44工学的に解かれたとはどうゆうことでしょうか？
その設計指針がほぼ抑えられたということですか？
ちなみに、ここ数年で液晶状態の中の移動度が
温度に依存しない理由というのはドウ理解できているのでしょうか？
もし知ってたら教えてください＞１１さん
結局、基礎研究の域は脱したという認識ですかね？
それこそ、夢があるじゃないですか。
今もてはやされてる、ペンタセンからどう変っていくんだろう。楽しみです！
0015名も無きマテリアルさん
2006/02/15(水) 00:17:28> もうほとんどのデバイス動作に関する問題には工学的には答えが出てしまった．
> あとは適当に分子を合成して一喜一憂するくらいのことしか残ってない．
理論的に確立できていたら、適当になんかならないのでは？
その辺がどうも確立できていない気がするのですが、気のせいでしょうか・・・笑
0016名も無きマテリアルさん
2006/02/15(水) 00:51:21その手の議論を見ればわかるよ．
有機FETのパフォーマンスが何によって決まっているのかが
要素に分解して見えるようになった．
その結果以前は見えなかったパフォーマンスの限界も見えるようになった
ということ．
あと，導電性液晶の移動度は低分子のFETに関していうと
結晶の系にかなわないのでFETに使おうとするのは
あまりうまくない．
なので，ここで挙げてきた意図がわからないんだけど，
その特性の解析はGaussian disorder modelあたりで
十分だと思われ．
>>15
文章を理解しましょう．
単純に言って合成する化学屋さんはすでに明らかになっている設計指針を知りません．
だから適当に合成して適当に論文を量産します．
でも，結果すでにわかっていることをなぞるだけで終わります．
まあ，追試も研究のうちですので意味がないとは言いませんけど．
0017名も無きマテリアルさん
2006/02/15(水) 21:38:43へにゃへにゃになったから何だというわけ？
そもそも誰もその答えを明確に持っていない。
できても、だからどうなの？としかいいようがない。
それがわかっていない人だけがやっている。
0018名も無きマテリアルさん
2006/02/15(水) 22:19:04そこまで言うのなら16さん、
アフォな俺らに重要論文を2〜3本教えて下され。
0019名も無きマテリアルさん
2006/02/16(木) 12:01:15絶縁膜に関する成果がここ数年のOFET研究の集大成になっているので，
それに関するレビューを見るといいと思う．
たとえば，
Chem. Mater. vol. 16 pp. 4543-4555 (2004)
Adv. Mater. vol. 17 pp. 1705-1725 (2005)
とか
あと，単結晶のはrubrene single crystalで適当に探してください．
0020名も無きマテリアルさん
2006/02/16(木) 17:00:55> >>15
> 文章を理解しましょう．
> 単純に言って合成する化学屋さんはすでに明らかになっている設計指針を知りません．
> だから適当に合成して適当に論文を量産します．
> でも，結果すでにわかっていることをなぞるだけで終わります．
> まあ，追試も研究のうちですので意味がないとは言いませんけど．
いやいや、１９さんの挙げた論文程度なら大概の人は知っていると思いますよ。
むしろ、後発組のほとんどは論文書くときに、
通りやすいようにデーターを選んでるのが実情かと思われます。
（これまでの理論で説明できるほうが楽ですから）
しかしながら、実際やっている人は、理論では説明できない現象で悩んでるのが
多いとおもうんですが・・・そんな実情はご存じないですかね？
もちろんそれを説明するのが個々の研究者の力量に左右されますから
それこそ本当の研究ですけど、ある程度納得のいく説明ができるようになるまでは
表に出てこないと思われますね。
したがって、論文読んですべてをわかったつもりになっているのは
勘違いじゃないかとおもうわけです。
論文にはある程度、説明できることしか書いてないわけですから・・
所詮頭でっかちにはわからないでしょうけど（笑
大体、最近は化学屋さんと物理屋さん共同で執筆してるのが多くないですか？
16さんのような、プライドばかり高い人だったら
まあ、共同ではやりたいひともいないかな（笑
本書くなり、学会で指摘するなりして
がんばって、多くの人のしらないこと広めてあげてくださいな。
00219=11=13=16=19
2006/02/16(木) 20:44:44論文を読むのと理解するのは別だということですね．
現実の系が汚れているのは当たり前．誰も理論で個別の系の現象が
すべて説明できるなんて思ってない．
問題は個々の現象の説明ではなくOFETというデバイスにどれだけ夢を抱けるかということ．
もちろん，ある分子を合成したとしてどんなFET特性を示すかは予想できないでしょう．
そこに創造性があると思うのは勝手です．
でも，結局は絶縁膜と有機物界面の輸送現象ということで
お釈迦様の手のひらの上なわけですよ．わかりやすく天井があってそれは超えられない．
あと，自分はOFETなんてすでに食べつくされたくせに妙に人口密度も高い分野に
後発で参入するほどお馬鹿じゃないので．
0022名も無きマテリアルさん
2006/02/18(土) 18:33:32んで、どの分野に夢を描いてるの？
よっぽど、魅力的なところがあるのかな？
0023名も無きマテリアルさん
2006/02/18(土) 23:06:35教えたら人が増えちゃうじゃない
人口密度が低いだけでそう穴場というわけでもないし．
0024名も無きマテリアルさん
2006/02/24(金) 00:40:48それでもあえて突入する産業界の研究者の漢はいるかね？
0025名も無きマテリアルさん
2006/02/24(金) 10:29:080026名も無きマテリアルさん
2006/02/25(土) 16:44:03アモルファスSiを用いたTFTや酸化物半導体を用いたTFTに対し
有利な点はなんでしょうか。
塗れる点でしょうか。（その場合耐久性も含めて性能がでるのでしょうか）
フィルム基板上に作製できる点でしょうか（酸化物半導体でもできます。）
コストでしょうか？
0027名も無きマテリアルさん
2006/02/25(土) 19:19:350028名も無きマテリアルさん
2006/02/25(土) 21:32:05コストとそのはるか先に見える単分子ＴＦＴで集積度UPが究極じゃないのかなあ？
0029名も無きマテリアルさん
2006/02/26(日) 01:07:17有機物の半導体の基本的なメリットは短距離秩序は
分子という形で確保されてるという点．
ただ，このメリットは有機ELとかだとある程度重要だけど
有機FETだとあんまり意味がない．
そこら辺が数々の問題はあれど一応商品化される有機ELと
所詮好事家のデモンストレーションにとどまる有機FETの
差なんじゃないかと思ったりする．
で，フィルム基板上に作成できるのは有機FETの
ほとんど唯一の質的メリットだと思う．
塗布可能なのは基本的には高分子系だけなので
有機FETのメリットといわれると違和感がある．
酸化物半導体でもフィルム基板に作成できるというのが
どの例を念頭においているのか微妙なところだけど，少なくとも，
塗布系の酸化物半導体は確実に有機FETの居場所を脅かしつつあると思う．
0030名も無きマテリアルさん
2006/02/26(日) 01:13:45ＯＦＥＴは材料にレアメタルを使いません。
他の有機素子と同じ装置で薄膜を形成出来ます。
>>28
単分子ＴＦＴとは？
0031名も無きマテリアルさん
2006/02/26(日) 01:56:38>塗布系の酸化物半導体は確実に有機FETの居場所を脅かしつつあると思う．
できればこれ詳しく教えてくれないでしょうか。塗布できる酸化物ナノ粒子は
よく聞くけど、ＦＥＴで作動するのもあるのでしょうか。焼成温度が２００℃
くらいまでで。
>で，フィルム基板上に作成できるのは有機FETの
>ほとんど唯一の質的メリットだと思う．
>塗布可能なのは基本的には高分子系だけなので
>有機FETのメリットといわれると違和感がある．
これには本当に同意です。ペンタセンなどの低分子半導体でもいろいろがんばって
移動度10cm2/Vs超えるか超えないかって話。わざわざ手間隙かけてその程度の
特性なら酸化物半導体のがいい。フィルムに形成できるというところでは同じだし。
有機半導体の唯一のメリットは塗布できる。これにつきると思う。
エプソンやプラスチックロジックがやってるようにインクジェットなどを利用して、
真空機器を全然使わずに作製できて、コスト大幅に安くできればそれなりの
居場所ができるかもしれない。
だから、塗布でトランジスタが作製可能な酸化物半導体なんかができれば
この唯一のメリットも崩れる。
>>30
蒸着などの真空機器を使ってＯＦＥＴを作るのはさほど意味ない気がする。
それならスパッタで酸化物半導体でもつけた方がいいんじゃね？
特性もその方がいいみたいだし。
0032名も無きマテリアルさん
2006/02/26(日) 02:47:57失礼、言葉が変でした、
単分子ＴＦＴではなく、単分子トランジスタ？といったらいいんですかね。
そんな言葉が存在してるかどうかもわからないけど、
究極的には、単一分子でトランジスタができるとして、
かつそれを思いどうりに並べる技術ができれば、
現状と比べても桁違いの集積度を達成できると・・・どこかの雑誌で読んだ気がします。
003329
2006/02/26(日) 13:06:29自分も専門じゃないからReviewを少し見ただけなのでなんとも．
ただ，有機FETで有名だった人が塗布できる酸化物半導体の論文を
最近出しててのけぞった記憶がある．
あと，Pentaceneの有機FETは条件がわかってきただけで，
追加の手間自体はそれほどでもないと思われ．
絶縁膜にカバー層をスピンコートすることだけが最近の工夫で，
後はいつもと同じだし（活性層+電極を真空蒸着）．
逆に，その程度の工夫でほぼ材料の素の特性（の半分くらいかも）を
出せるというのは有機半導体の強みといえば強み．
しかし，スパッタで低温でつけた酸化物半導体ってそんなに特性いいの？
ちゃんと熱処理したりとかしないと10cm2/Vs以下の悲しい特性しか出ない印象が．
0034名も無きマテリアルさん
2006/02/26(日) 14:18:03>>ttp://www.e-express.co.jp/past/fpd_041130.htm
>2004年11月25日
>JST 透明なフレキシブル無機TFTを開発
>科学技術振興機構(JST)は、In-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体を
>活性層に用いてPETなどのプラスチック基板上にフレキシブル透明無機
>トランジスタを作製することに成功した。キャリアモビリティは
>10cm2/V・secとa-Siや有機半導体の10倍以上だという。
↑これなんて結構凄くない？実際凸版がこれでフレキシブルな
ものを試作している。
0035名も無きマテリアルさん
2006/02/26(日) 14:18:15>http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060223/113622/
以下引用
------------------
有機エレクトロニクスの製造技術は大きく分けて，蒸着法などのように
真空プロセスを利用する方式と，材料を溶液化して塗布するように
印刷プロセスを利用する方式の2種類がある。一般に，大面積基板を
使って高速に低コストで処理するためには印刷プロセスが有利だが，
高性能を現在実現しているデバイスには真空プロセスを利用したものが多い。
また，有機半導体層以外のメタル層や絶縁層の工程には，真空プロセスを使った例が多い。
「有機エレクトロニクスでは，印刷プロセスと真空プロセスのどちらが本命か」。
講演後の質疑応答で会場から質問を受けた東京大学 国際・産学共同研究センター
教授の桜井貴康氏は，「本命は印刷にあるのではないかと思っている」と答えた。
その理由として，有機エレクトロニクスの最大のメリットが「大面積基板を使いなが
ら低コストにできること」にあることを挙げた。Siデバイスに比べると性能は低いが，
この点は有機デバイスならではの特徴といえる。この特徴を生かすには，
「印刷を狙うのが良いと思う」と述べた。
----------------
やはり印刷法の利用による低コスト化くらいしかないのでは？
003629
2006/02/26(日) 17:23:43自分もその細野グループのやつを念頭においていた．
そのニュースでは10cm2/Vsといっているが四捨五入すれば10cm2/Vsという話で，
それだったら今のPentaceneの特性も四捨五入すれば10cm2/Vsなので微妙．
というか，今のペースだとそろそろ抜けそう．
これからはやはり無機での薄膜化は犠牲を伴うんだという結論しか出ない．
ただ，酸化物半導体には溶液から薄膜化しつつ20-30cm2/Vsあたりの
移動度（有機物の単結晶での限界）を出してもらうと
有機FETの人々を絶望のふちに叩き込めるというか，
それに近い結果は出つつある．
Adv. Mater. vol. 14, pp. 1772-1776(2002)
J. Mater. Chem. vol. 14, pp. 2355-2365 (2004)
個人的には高分子系が今の低分子系の移動度に追いついたらこの分野の
応用を見据えた工学的な研究は終了なんじゃないかな．
0037名も無きマテリアルさん
2006/02/27(月) 00:15:20インジウムは液晶で、もはや価格高騰が凄まじいことになってる。
だから現段階では、材料的に低分子系のＯＦＥＴが有利だと思う。
0038名も無きマテリアルさん
2006/02/27(月) 00:38:12たいなら、資源の心配がないうちはIGZOのほうが優れていると思うよ。PLDだけではなく、
プラズマスパッタでも出来ているらしいしね。
ただ、聞いた話では、IGZOはs金属の広がった軌道を使うことから、原理的にｎ型しかまと
もな移動度が出なかったはず。
フレキシブルロジックなどをCMOSで組むには、ｐ型が得意な有機半導体と組み合わせる
のが得策なんじゃない？
0039名も無きマテリアルさん
2006/02/27(月) 00:44:20基本的にフレキシブルエレクトロニクスは、大量生産使い捨てが前提だから、
資源量が少なくって再利用も難しい材料は長期的にはパスね。
もちろん、有機半導体も石油に頼っているうちはアウトだが、それはプラス
チック類がすべて一蓮托生だから、だれかが代替技術を開発するでしょ。
0040名も無きマテリアルさん
2006/02/27(月) 00:55:33ＩＧＺＯはInやZnの広いＳ軌道を利用しているから、アモルファス状態
でもそれなりの移動度が出る＝低温でも形成可能という理屈。
むしろ下手に結晶化させると粒界散乱の影響で移動度落ちる？
また、確かにＩｎを含んでいるうちは資源的に心配。
ＺｎやＧａだけでできればいいと思うけど。
また、低分子（高分子もか？）有機半導体は酸素や水に弱いという欠点がある。
室温で放置してるだけなのに、Ｏｎ/Ｏｆｆがぐんぐん悪化していく。
ＩＧＺＯなどの無機半導体はこの点でかなり有利な気がする。
とはいえ、実際ＩＧＺＯなどを扱ったことないからどうかは知らないが。
誰か知ってる人いたら教えて。
0041名も無きマテリアルさん
2006/02/27(月) 10:31:57特性の劣化は低分子高分子両方とも大きな問題だが，
移動度の向上が一服してしまったので最近の研究では
特性の長期安定性のデータは半ば必須となっている．
研究室レベルでは封止なしで空気中に40日程度放置しても
特性がほとんど変化しないという材料も珍しくない．
設計指針もある程度分かりやすいものが出来つつある．
0042名も無きマテリアルさん
2006/02/28(火) 22:30:20半導体物理など光学物理を扱わない分、有機ＥＬより楽勝。
有機ＥＬは、学術的にも深い。ただ、測定者（研究者）が
きちんと測定していないため、グループ間での議論が行い
にくくなっている。材料変えた…云々は、まあいいとして。
有機ＦＥＴには、そういった問題は比較的少ないかな…
0043名も無きマテリアルさん
2006/03/05(日) 20:14:37きちっとした測定というところに、研究機関によって大きな差がある希ガス。
ちなみに、この分野の基本特許はどこが握っているのかしっていますか？
0044名も無きマテリアルさん
2006/03/11(土) 07:44:39おしえれ
0045名も無きマテリアルさん
2006/03/11(土) 14:31:3843じゃないけど
どことはいわないがありえない移動度を出すところがある．
毎年ありえなさに拍車がかかっているような気さえする．
昔はp型だったからまだありえないほどでもない数字だったけど，
最近n型の方が受けると知ったのかすさまじさの度合いが増している．
つーか，n型の薄膜FETで移動度2cm2/Vsはないだろ．
それも，フッ素つけただけのあんなやる気のない物質で．
0046名も無きマテリアルさん
2006/03/11(土) 20:49:20意図的じゃないにしても、簡単にウソが出る。
TFTの測定と同じタイムスケールでゲート絶縁膜のCがいくらか、みんなちゃんと確認している？
0047名も無きマテリアルさん
2006/03/11(土) 21:28:38イオンとかでゲート容量が低い周波数で大きくなってる可能性ってこと？
ポリマーならまだしも普通のSiO2の絶縁膜でそんなに変化するとは思えないんだけど．
0048名も無きマテリアルさん
2006/03/11(土) 22:41:50おいおい、SiO2を知っているのか？
あんなもの大気中で人が扱っていたら、ナトリウムだらけで、「誘電率」は低周波数ほど上がるようになる。
ところが、それを高周波でＣ計ると、イオン伝導による分極を含む準静的なＣよりも小さく出る。
で、高周波でのＣで移動度計算したら、実は想定以上にキャリアを誘起しているので移動度が大きめに出る。
ケミストが良くやる間違い。
0049名も無きマテリアルさん
2006/03/11(土) 23:42:30うちが使ってる絶縁膜では5から100kHzくらいまででほとんど誘電率の変化はない。
SiO2だけど、そんなに誘電率変わるの？どうも信じられない。
素手でべたべた触った上に電極を蒸着したりしたことによって界面に妙な準位
つくったことによる空間電荷効果とかじゃないのだろうか？
よほど、粗悪な扱いをしない限りそうそう変化はしないだろうに。
とはいえ、1割違ったら移動度1割違うからな。どのくらいを”違う”と判断するかに
よって意見が変わりそうだ。
0050名も無きマテリアルさん
2006/03/12(日) 00:25:43ただし、TFTの伝達特性を5ヘルツよりゆっくり計っているならご注意。
Si MOSを扱っている人なら良く知っているはずだが、よく見る日本語の半導体の「教科書」にはあんんまり書いてないんで．．．．
手っ取り早い説明ウェブで探したけど、こんなのしか探せなかった。
ttp://www.enigmatic-consulting.com/semiconductor_processing/selected_shorts/Gettering.html
どこかから酸化膜付きのウェハや基板を大量に買って、長らく保管して使っているひと、
半導体グレード相当より汚い溶液に基板を曝すプロセスをつかっているひとなどは一度気にしてみてもよいと思うよ。
0051名も無きマテリアルさん
2006/03/12(日) 00:46:49が引用してくれたように、Ｎａイオンなどが入ると絶縁膜中を
可動して誘電率が変化するようだが、相当ゆっくりでないと
変化しないのではないのだろうか？
一般的な半導体パラメータアナライザーの測定速度だとまあ
気にしなくてもよさそう。
ただし、ソースメータ二台で測定してる場合とかは、どのくらいの
測定速度であるか一度見直したほうが良いかもしれない。
ゲート電圧をかけた後、しばらくたってからソースドレインの間に
電圧をかけ、さらにしばらく電流が落ち着くのを待つ、なんてことを
しているときは要注意だな。（意図しなくてもプログラム的にそうなって
しまうこともありうる）
0052名も無きマテリアルさん
2006/03/12(日) 02:28:36一般的な半導体パラメータアナライザの速度ってどのくらいなんでしょうか？
うちだと装置自体は普通のやつだと思うけど，
伝達特性1本測るのに30秒くらいかかってるんだけど．
あと，個人的には絶縁膜がSiO2とかなら絶縁膜中のイオン云々よりも
界面トラップなどによるヒステリシスのほうが影響として大きすぎるので，
あんまり気にしてもしょうがないかなという気がしてしまう．
といいつつ不安になったからmHzあたりまで誘電率測定してみるけど．
005350
2006/03/12(日) 13:23:29一番簡単な確認法は、ゲートスウィープの速さを変えて往復の伝達特性取っておくこと。
可動イオンが入っていたら、速くふるとヒステリシスが小さくなってくる。
ただし、SiO2中のナトリウムなら数Hzに十分追従するので、思ったより早いスウィープでもヒステリシス出るよ。
ヒステリシス付きのカーブを見たら、片側だけ取ると結構移動度見積もり誤るのが判る。
0054名も無きマテリアルさん
2006/03/30(木) 02:23:290055名も無きマテリアルさん
2006/03/30(木) 09:42:24気持ちはわかるけどデバイスが動いてるってのは良いんじゃないかな．
でも，絶対にあの中間のAl電極は穴が開いててスカスカだと思う．
どこぞのSITも昔は20nmのAl半透明電極だったんだよなあ．
鬼の首をとったようにSITはライン発光ですからとか言ってるのがマジ受ける．
005650
2006/03/30(木) 22:40:13それが、どこまで安定して使えるのかが課題。
0057名も無きマテリアルさん
2006/03/30(木) 22:41:47よその板で使った50ってのを名前に入れたままにした。
ここの50とは関係ないです。
0058名も無きマテリアルさん
2006/04/06(木) 23:12:16移動度は108！
ペンタセンの時代ももう終わりそうだね。
0059名も無きマテリアルさん
2006/04/07(金) 22:12:57どこどこ？
出元記事か文献おしえてください。m(_ _"m)
0060名も無きマテリアルさん
2006/04/07(金) 23:03:37上に作るとかは無理みたいね。その後、レーザー結晶化もするみたいだし。
>>http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060405/115798/?ST=fpd
これがもっと低温になってプラスチックなどの基板にも作れるようになったら、
そのときは低分子も高分子も含めて有機トランジスタの存在意義がなくなる。
しかし、原理的に低温化は無理じゃないのかなあ？脱水素の際に
高温がいるんじゃなかろうか。
0061名も無きマテリアルさん
2006/04/08(土) 21:54:44少なくとも蒸着系のOFETは、既に不要だったと思う。
今回、ポリシリコンTFTがウェットプロセスで作製できたことから、
例えフレキシブル基板上に作製できたとしても、
高移動度の見込みの無い高分子系も、ヤバくなった。
残されたのは高温溶媒や前駆体を用いた
ウェットプロセスによる低分子系OFETのみ。
フレキシブル基板上に作製できて、
有機ELのスイッチ回路としての
移動度は確保できそうなので。
0062名も無きマテリアルさん
2006/04/08(土) 22:40:56低分子のウェットプロセスが生産ラインに乗っている姿がいまいち想像つかないので，
ウェットプロセスで低分子のFETを作るくらいだったら
高分子系の移動度を上げたほうがまだましなように思う．
移動度0.7cm2/Vs（高分子系FETのチャンピオンデータ）じゃ足りない？
0063名も無きマテリアルさん
2006/04/11(火) 21:30:400064ぺんたろう
2006/04/16(日) 21:30:41研究用でペンタセン実際に使ってる人いますか？
材料はみなさんどこから買うのが一番いいのでしょうか、
以前にメーカーによって品質が違うということを聴いていたので、
現在、化学系の人に頼んで、試薬屋さん数社と、
怪しいネットで広告出してる業者から取り寄せ中。
研究用途なので1gもあれば十分です。
いい情報あったらおしえてください。
0065名も無きマテリアルさん
2006/04/17(月) 01:22:11定性的に材料屋を選んでいるのか…
かわいそうに、乙。
0066名も無きマテリアルさん
2006/04/17(月) 02:36:16ペンタセンについてはアルドリッチがいいとよく聞く。
他の会社では純度が低くて半導体特性があまり良くないそうだ。
006766
2006/04/17(月) 02:57:57ちなみに俺が知ってるペンタセンの純度
アルドリッチ 99％
関東化学 98％
東京化成 95%くらいか(最近99%以上の高純度の製品を出したらしい）
和光純薬 忘れた（あんまりよくなかったような気がする）
他にも海外メーカなども含めれば無数にあるが、いちいち全部試しちゃ
いられまい。
まあ、純度を測定したことがないから、本当にいいかどうかは
保証できないが、とりあえずペンタセンで実験してる人は
大体アルドリッチ製のを使ってるようだ。ひとまず、おとなしく真似とくのが
無難だろう。
論文読んでてもペンタセンはアルドリッチから購入しているのが
非常に多いし。純度がさらに気になるなら、これに昇華精製
を何度かすればよかろう。
低分子半導体は気軽に不純物の測定ができない。溶液化でき
ないからな（一部の低分子は溶液化できるから可能らしい）。
定性的にならなんとでもなるが、定量化は大変と聞く。
0068名も無きマテリアルさん
2006/04/17(月) 04:45:33昇華精製かけるんだったら元の純度はあんま関係ないと思う．
で，あとで昇華精製かけるんだったら元の純度が高いやつは
お値段も高いのでお勧めしない．
ちなみに，今はもう改善されてると思うけど，
その昔，AldrichのPentaceneはPentacenequinoneが入っていたらしい．
http://arxiv.org/ftp/cond-mat/papers/0404/0404130.pdf
そういうのもあるんで，適当なやつを買って自分で昇華精製かけるほうが安全だと思う．
006966
2006/04/17(月) 06:06:15昇華精製って一回じゃなくて何回もやらなきゃいけない。
（どこまで純度求めるかだろうけど）
当然、もとの純度が高いほど、精製の回数が少なくてすむ。
ちなみに俺はアルドリッチ製品で3回精製やってたことがある。
移動度1cm2/Vsくらいが普通にでる。
（無論最高値はもっと高い。SiO2絶縁膜、表面処理あり、
金のトップコンタクトだから、実用性がないプロセスだけど）
最近精製なしでやったが、特性がほとんどど変わらなかった。
（純度があがった or 蒸着テクがあがった(笑)）
また、昇華精製やればどんな会社の製品でも特性が出る、
とはいかないようだ。ある聞いたことが無いような材料会社の
製品で試した（安いから）が昇華精製3回やってもぼろぼろの特性だった。
よくよく不純物だらけだったと見える。ま、もっと昇華精製の
回数増やせばいいだけかもしれないが。
予算によるが、金があるならそのまま使えるくらい純度の高い
製品を買って精製の手間を省くか、安い材料で不純物が
入ってるのを買って、何度も昇華精製をするかの二択だろう。
研究用で少量なら個人的には前者がお勧め。
どっちにするかは好みの問題だけどね。
参考までに、
ペンタセンは6と13の位置が一番活性で、光照射下で酸素と化合して
ペンタセンキノン>>68氏が＞http://arxiv.org/ftp/cond-mat/papers/0404/0404130.pdf
で紹介しているようなものになる。他にもペンタセン同士が反応してペンタセンダイマー
を作ることもあるようだ。だから保管は常に暗いとこで、真空（または不活性ガス中）
が望ましい。
いくら純度が高くても蛍光灯がばりばりあたるとそれだけで酸素が反応して変化していく。
ペンタセンに光は天敵です。もちろん昇華精製も暗いとこでやってね。
0070ぺんたろう
2006/04/17(月) 23:29:19特に６８さん文献アリガトウございます。
いろいろメーカーによって違いがあるのは本当なんですね！
今日、ネット販売の会社に問い合わせたところ、
納入先（電機メーカー）で、性能出ているから品質は問題ないということ言われました。
疑った口調で聞いたんで、すこし嫌な感じでした・・・＾＾；
ちなみに、そのペンタセンは昇華品を売っているらしいです。
向こうの言い分を信じれば、たぶん、そのまま使えると思うんですが、
念のため、じぶんとこで昇華したやつとで比べてみようとおもいます。
しかし、昇華はできるけど、身近にｐｅｎｔａｃｅｎｅｑｕｉｎｏｎｅとやらを分析する
装置（ＨＰＬＣ）はないんだよなあ・・・。
さっそく別の部屋に相談にいかなきゃ・・・orz、
こんな役回りばかりで、研究よりも今はネゴシエーションの日課です。
すべてそろっている研究環境がうらやましいーー
0071名も無きマテリアルさん
2006/04/28(金) 23:13:390072名も無きマテリアルさん
2006/04/28(金) 23:54:10精製ができないから、やむを得ず昇華精製してる。
低分子有機半導体でも一部の物質は溶液化可能だから、それなら
再結晶で精製できるかもしれない。
0073名も無きマテリアルさん
2006/04/29(土) 01:21:13では試薬屋が売っているペンタセンは、化学合成後の単離はすべて昇華
でやっているとでも？
もちろん溶媒に溶けにくいが、溶けないわけではない。
0074名も無きマテリアルさん
2006/04/29(土) 01:33:01>Pt. 2, No. 2B, 15 Feb. 2004
>ペンタセンの １H-NMR解析
>長野みか・長谷川哲也・明神紀勝・山口 潤
>伊高健治・福元博基・山本隆一・鯉沼秀臣
>東工大応セラ研．
>有機電界効果トランジスタへの応用の観点から注目されているペンタセンの
>基礎物性を調べるために，核磁気共鳴（１H-NMR）の解析を行った．ペンタセン
>は通常の有機溶媒に対する溶解度が非常に低いため，これまで最も基礎的な
>解析であるNMRの報告がされていなかった．比較的溶解度の大きいDMSO -d６
>溶媒を用いて，温度を80℃に上げることにより溶解度を上昇させ，NMR解析に
>初めて成功した．酸素を含む溶媒中ではペンタセンが酸化され，より溶解度の
>大きいペンタセンキノンが生成されるが，脱ガス処理をした溶媒中ではペンタ
>センが安定であることから，空気中でペンタセン薄膜の電気伝導度が不安定に
>なる理由としてペンタセンキノンの生成によるものであると結論づけた．
もっともDMSOで再結晶はしたくないな。
しかも温調かけてNMR,しかもプロトン取っただけでJJAPとは
世の有機化学屋が聞いたら怒り狂うなw
007572
2006/04/29(土) 02:12:38旭化成が塩素系の溶剤でペンタセンを溶液化させたりしているが、
不活性雰囲気＋遮光＋温度が必要。
その溶液から基板への結晶成長というネタで発表してたりする。
もっといい溶剤を知っていて、そこから再結晶化できるなら
やっているだろう。
実際化学メーカは合成後の単離はどうしてるんだろう。
不純物の方を流してるだけ？濾過して残ったのはペンタセンです。
みたいな。
0076名も無きマテリアルさん
2006/04/29(土) 23:38:22このスレって合成屋さんいないのね（自分も違うし）
つーか，結晶が出来る分まだFET材料はマシなんだろうな．
結晶にならないような材料だと昇華精製も効きづらいし，
再結晶化はあ？って感じだろう．
そういう意味でEL材料の方がどうやって精製してるのか謎だ．
あと，実験室レベルなら精製はカラムにかけて終わりだと思われ．
分解したりその他でそれ以外に精製のかけようのない材料が多すぎる．
0077名も無きマテリアルさん
2006/04/29(土) 23:51:40試薬メーカーの高純度品もすべて最後は昇華精製を繰り返しているみたいよ。
EL材料ってどうやってるんだろうね？
0078名も無きマテリアルさん
2006/04/30(日) 01:01:29EL材料も結局、昇華精製らしいよ。
0079名も無きマテリアルさん
2006/04/30(日) 07:37:44高分子のほうの精製はどうしてるんだ？
0080名も無きマテリアルさん
2006/05/03(水) 00:09:58学生の時にやっていたんだけど。
今は、電気系（デバイスではない）のエンジニア。
信頼性とかコストとか、有利な点がない。
Siのコストの安さとか求められる信頼性をを考えていないんだろうな。
（基礎研究なのでいいけど。）
しかし、EPSON スピンコートのSi系有機物塗布＋レーザアニール 高移動度→Nature
東大 ペンタセンのTFT + センサに加工 （教授が元東芝のエンジニア） → ISSCC
を見ていると、そんなのでいいのかと思う。
新しい画期的な材料が出てこないと厳しいね。（化学屋の仕事だが）。
0081名も無きマテリアルさん
2006/05/03(水) 02:29:35ペンタセンなんか話にならない。コストに関しては結構いけるかもしれない
とは思う。もちろん塗布プロセスの場合に限る。
先行きは材料次第。
0082名も無きマテリアルさん
2006/05/03(水) 13:22:43学生の時はシリコンより安くできると、思っていた。
この分野の研究者はコストと大面積化がうりで、
どの論文を読んでもそう書いてある。
でも、携帯用の2インチ液晶パネル500円未満
（バックライトやドライバも含めた、価格しかしらないので正確でない）
無線タグ用のシリコンチップ1円
OPAMP 10円
というのを知ってしまうと、数がでれば設備の価格は
それほどクリティカルではないと気がついてしまった。
信頼性は有機ELが今直面しているけど、5年たっても
商品化ができない（TVなみの長時間はNG）のが
産みの苦しみだと思ってみている。
（初めての有機アクティブデバイスだからな。）
でも出光と三菱マテ？だったか、技術を持ち合って、
寿命4万時間とかのELを発表していたかた、
あと一歩でもものみなる。
0083名も無きマテリアルさん
2006/05/03(水) 23:19:24自分もそうだから人ごとではないが、電気屋ってのはすごく保守的だからね〜。
よっぽどメリットがないと新しいものは常に否定されがち。
50年ほど前の半導体初期も、こんな信頼性のないもので真空管のかわりがつとま
るはずがないと言われていた。
そんな超保守の電気屋さんたちを乗り気にさせるような進歩や新しいアプリケー
ションが必要なのが一番の課題なんだろうね。
0084名も無きマテリアルさん
2006/05/04(木) 01:53:59絶対にシリコンではできない！！っていう用途を探さなきゃ
有機ＦＥＴの未来はないのではないのだろうか。
安く作れるからとかじゃなくて、もっと本質的なことで何か
一個でもどこかに優位性がないと、芽が出ずに終る。
有機ＦＥＴの本質的な優位性はなに？
0085名も無きマテリアルさん
2006/05/04(木) 02:42:18有機FETにそういう類の優位性はない．コストとプロセス温度だけ．
有機物なんだから，どこぞのサイリスタじゃないけど
FETよりも複雑な素子をシミュレートできればまだ優位性はあるんだろうけど．
0086名も無きマテリアルさん
2006/05/06(土) 17:56:45SiO2以外で何があります。
ここにはhttp://www.nanoelectronics.jp/kaitai/printableofet/2.htm
PVPhがよく使われるって書いてあるけど・・・。
あと、ポリイミドとかも。
こういうのって有機溶媒系には溶けないの？
0087名も無きマテリアルさん
2006/05/07(日) 15:11:07無機物
Ta2O5 Al2O3とか
有機物
CYTOPその他のフッ素系（トップゲートの論文はパリレンかこの手を使ってるのが多い）
ポリイミド（スピンコートして焼くとイミド化するなり何なりして溶けなくなる）
ポリαメチルスチレン，ポリプロピレンその他（他の絶縁膜の上に薄く塗って使う）
パリレン（CVDで付けれるのがメリット）
ポリビニルフェノールとかは誘電率の関係で最近はあまり流行らない．
あと，無機物はHMDSやOTSで処理するのが普通．
といっても，基板を処理したからといって論文のように
特性が劇的に変わるかというと微妙．
0088名も無きマテリアルさん
2006/05/11(木) 01:26:200089名も無きマテリアルさん
2006/05/18(木) 02:41:11低分子型でありながら塗布で成膜できる有機半導体材料
これは結構いいんじゃないのか？
移動度1.4cm2/Vs らしいぞ。a-Siよりも高い。
0090名も無きマテリアルさん
2006/05/18(木) 08:56:49Pentacene系かと思ってみてみたら，Fig.はともかく協力している教授の研究も含めてPc系だった．
最終的にできる膜がCuPcだとすると，
（CuPc ; Pc系では一番一般的かつ普通に入手でいるなかでは移動度も高い）
CuPcの単結晶の移動度って1.5cm2/Vsとかとかそのレベルなのに，
どうやったら薄膜でその上前駆体からの製膜なのにそんな移動度が出るのかと聞いてみたい．
ちなみに，単体の薄膜だと0.02cm2/Vsくらいしか報告されていない．
あとはわけのわからない複合膜で0.5?cm2/Vs程度の値が報告されているのが薄膜では最速かな．
0091名も無きマテリアルさん
2006/05/18(木) 11:45:42構造を良く確認ｼﾙ!
Pcではないぞ！
結晶内でのパッキングもPcとは違うらしい。
1前後ならおどろくこともないと思うが。
009290
2006/05/18(木) 13:14:31関係者?
まあ，そんなんで直接的に何かが変わるとは思えないんだけど確かにNが4つ少ないね．
ほんと学会発表や論文が楽しみだわ．
あと，結晶内でのパッキングが違うってことは単結晶できてるの?
ならその特性も見てみたいねwどんな特性になるのやら，
下手すると100cm2/Vsとか言っちゃうんじゃないのw
0093名も無きマテリアルさん
2006/05/18(木) 18:46:4189の記事については、ペンタセンとは逆に、基板にはりつく構造をとりそうなので
縦型トランジスタでＴＦＴを作ったと仮定。
これにより、チャンネル長が著しく短くなり、移動度が向上できたのじゃないか？
と読みました。
0094名も無きマテリアルさん
2006/05/19(金) 22:34:33チャネル長が短くなることと「移動度」が大きくなることは直接の関係ないだろ？
あと、あの写真をみるかぎり、少なくともスイッチングトランジスタのほうは
普通のTFTに見える。ドライビングのほうはよくわからん。
0096名も無きマテリアルさん
2006/05/20(土) 14:25:11＞多結晶の場合は、s-d間のグレインバウンダリーの数が減りますよ！
それはそうかもしれないが、写真から判断する限り、
今回のは普通のＴＦＴであるようだ。有機ＥＬだから、デ−タ用と
駆動用の二種類あるようだけどね。
移動度が１０とか２０ならともかく、１前後なら前駆体からの結晶化で
作ったものだとしても別におかしくはないでしょう？
ペンタセンの前駆体からの結晶化で最高値が０．１から０．５くらい。
今回はそれより高いようだが、あってもおかしくはない。
前駆体や溶液からの結晶化はやりようによっては最高値は蒸着
よりも高い移動度を出せるからな。
ただし、その代わりに犠牲になるのがばらつき。想像だが、今回の
ＴＦＴも特性はおそろしくばらつくのではないだろうか？
俺の知ってる限りではＩＢＭ？がやったペンタセンの前駆体からの
結晶化では移動度が同じ基板内で二桁くらいばらついてた。
仮に今回のがまったくばらつかずに１．４くらいが安定してできてる
としたらすごい。
有機ＴＦＴ実用化の目途がついたとまで言っても言い過ぎではないよ。
009796
2006/05/20(土) 14:30:14基板で結晶化させてるものがあるが、これも特性は
ひどくばらつくようだ。
やはり、今回の三菱化学の製品で不安なのはばらつきと、
ドライブしたときの劣化だな。
これさえクリアすれば、有機ＴＦＴのスタンダードになりうる。
そのくらいこの発表のインパクトはすごいよ。
（本当ならな）
009890
2006/05/20(土) 23:37:05可溶化Pentaceneは旭化成
Pentaceneの前駆体からの製膜で一番特性がいいのはIBMのグループのやつ
(JACS,2002,124,8812)であってると思う．
移動度はともかく，前駆体からの製膜だから熱処理温度が気になる．
ある程度以上高いと，無機の膜を溶液から作るデバイスとの競合を
考えないといけない．
0099名も無きマテリアルさん
2006/05/21(日) 00:47:070100名も無きマテリアルさん
2006/05/21(日) 10:04:59TC型でもBC型でもどちらでもよいのですが、
SD電極(Au)を蒸着した後、にG電極(Au)とSD電極
が導通してしまうことが多々あります。
これは何が原因なのでしょうか。
絶縁膜（高分子、スピンコート）は1μ程度です
0101名も無きマテリアルさん
2006/05/21(日) 12:59:02２．蒸着の際に絶縁膜を痛めている。スパッタなら逆スパッタの
時間が長い、パワーが大きすぎる。など。蒸着なら、基板と蒸着源の
距離が近すぎて、熱で絶縁膜を痛めている。
３．蒸着したゲート電極に突起があってカバレージ不足でリーク
４．絶縁膜がぼこぼこ波打っている（スピンコート条件だし不足）から、
膜が薄いところでリーク
５．絶縁膜が汚い（不純物たくさん、イオンとか）のでリーク
６．電圧高すぎ
などがある。いずれにしても、思い当たることはたくさんありすぎて、
どれとは言いがたい。
0102名も無きマテリアルさん
2006/05/21(日) 23:17:11自分で溶液を作ってるなら、
架橋材を入れた方がいいと思います。
溶媒によってはどうしても穴が開くので。
0103名も無きマテリアルさん
2006/05/21(日) 23:49:04たとえばどのような溶媒ですか？
0104名も無きマテリアルさん
2006/05/24(水) 08:29:57G電極が全面隠れてしまうので、そのような場合は
高分子を溶かした溶媒で電極面を出したらいいんでしょうか。
または、ポリイミドとかはマスクを貼り付けてとかでしょうか。
有機半導体もボトムで行うとSD電極が隠れるのでこの場合も
上記と同じ手法でしょうか。
0105名も無きマテリアルさん
2006/05/24(水) 09:33:060106名も無きマテリアルさん
2006/05/24(水) 21:20:46最近は新参者も多いだろうし、（助手の人ならともかく）いきなり先生に聞くのは嫌だろうし、
他人事ながら、学生時代の自分の気持ちを思い出しちゃったよ！
頑張れ卒研生！そして、ぜひ研究を前に進めてくれー
まあ、ここの情報を鵜呑みにするのも危険だとおもうけど、
はやく、先生と相談できるように、知識と実力を蓄えてがんばってください。
0107名も無きマテリアルさん
2006/05/25(木) 22:58:39実際に歩留まりが悪かったのはプロパノールですが、
この溶媒だからそうなるとは限りませんので悪しからず。
基板と溶媒に相性があって、
多分、基板に弾かれやすい溶媒だったら穴が開きやすい。
でも、溶媒によらず均質についてくれる材料がある。
俺が分かったのはそんだけです。
0108名も無きマテリアルさん
2006/05/26(金) 19:46:40逆電圧を増やしてもＣがそんなに減ってくれない。
ＬＣＲメータで測っていますが、周波数はどのくらいが良いのでしょう？
有機物はショットキーを作らないとかあるのですかね？
0109名も無きマテリアルさん
2006/05/27(土) 00:56:21そもそも今計っているCは膜全部がただの誘電体になっていないか？
それなら、ショットキーの反対側が十分オーミック電極として機能していない。
電極の接触抵抗がでかいとか、膜のキャリア移動度が遅いなら、LCRメーターでは難しいかもね。
0110名も無きマテリアルさん
2006/05/27(土) 11:16:03また【正】E(又はC)から【負】Bの抵抗は∞値をとるのでしょうか？
0111名も無きマテリアルさん
2006/05/28(日) 00:31:45なぜにバイポーラトランジスタ？
電気電子板にでも行った方が早いのでは．
あと，PNPとNPNで電流の向きが変わるので答えようがない
0112名も無きマテリアルさん
2006/06/11(日) 10:07:25何が原因なのでしょうか？
0113名も無きマテリアルさん
2006/06/11(日) 12:43:57飽和領域があらわれないということなら、それはソースドレインの間の
電圧が、ゲートソース間の電圧以下ということ。ピンチオフになってない。
線形領域：Vds < Vgs - Vt
飽和領域：Vds > Vgs - Vt
いくらソースドレインの間に電界をかけても線形のままだというなら、
Vtが大きすぎるのだろう。界面にトラップでもあるんではないか？
あるいは、有機半導体結晶の粒界にトラップか、または結晶に
含まれる金属イオンなどの不純物のせいか。
とにかく反転層が飽和しなきゃならないんだが、そこまで電荷が
蓄積されず、余計な準位を埋めるのに使われてしまうのが
原因と思われる。
0114名も無きマテリアルさん
2006/07/03(月) 19:08:24私もあまり詳しくないけど、ゲートの絶縁膜が
厚いから電荷が蓄積されないんじゃないの?
0115名も無きマテリアルさん
2006/07/07(金) 00:22:510116名も無きマテリアルさん
2006/07/07(金) 00:42:34まあ頑張ってくれ。
0117名も無きマテリアルさん
2006/07/07(金) 23:53:18キャリア移動度、オンオフ比、閾値電圧
それぞれ、どれほどのばらつきですか？
歩留まり向上は、みんな血眼になってやってるから
みんなノウハウとして抱えてるとこも多いとおもう。
色々外部に出て教わるのも手ですよ。
余計なお世話かもしれんが・・・・
0118名も無きマテリアルさん
2006/08/18(金) 13:34:05歩留まり向上って例えばどんなのがあります？
0119名も無きマテリアルさん
2006/08/21(月) 00:22:580120名も無きマテリアルさん
2006/08/27(日) 12:03:180121名も無きマテリアルさん
2006/09/12(火) 23:28:23大阪大学など、有機半導体トランジスタを開発?省電力素子に応用へ
http://techtech.jp/jdl/weblog/blog/10/7212
0122名も無きマテリアルさん
2006/09/12(火) 23:31:050123名も無きマテリアルさん
2006/09/13(水) 00:01:170124名も無きマテリアルさん
2006/09/13(水) 00:42:14だけど、キャリア蓄積とともに相互コンダクタンスが小さくなるみたいなんだわ。
0125名も無きマテリアルさん
2006/09/14(木) 00:21:16（まあ，予稿集見ればいいだけなんだけど，手元にないので）
もし，時間的にすぐってのだったら，データとして出しちゃいけないと思うし，
電圧的にすぐってのだったら，下手するとFETじゃないのにFETとして移動度を
出したからすごいことになってるだけかもしれないし，どちらにしてもろくなもんじゃないわな．
それにしても，いつから100cm2/Vsが実用化に必要になったんだろw
いくら実用化が遠いからってそんなやけっぱちな数字出さなくてもねえ．
0126名も無きマテリアルさん
2006/09/15(金) 02:13:14あんまり新規性はないような気がするんだけど、
移動度たけー。
0127名も無きマテリアルさん
2006/09/16(土) 08:15:39いまや、ペンタセンでも実用化までいけるんじゃないかとおもうこのごろ。
下手なもの使うよりも値段も安そうだし。
0128名も無きマテリアルさん
2006/09/17(日) 23:12:08大学の研究データには安定性・再現性に欠けるものも多いよ。
EL素子も初期の頃は、一瞬で輝度測定してたらしいし（封止技術が未熟な頃）
0129名も無きマテリアルさん
2006/09/22(金) 22:56:35分子系材料は、どうも信頼がおけない気がするのだが。
0130名も無きマテリアルさん
2006/09/23(土) 01:07:26もちろん完璧じゃないとおもうんだが、
結晶の安定性に関しては、封止前提
剛性は、激しく曲げないのであれば、再現性は取れる。
（＝破壊されていないと考えて）
ということで、そこそこ使えるのでは？とおもってる。
0131129
2006/09/25(月) 00:03:08結晶を封止する際は結晶が壊れたりしない？
ぐちゃっと下手につぶすとつぶれてしまう気がする。
聞いてばかりでスマソ。
0132名も無きマテリアルさん
2006/09/25(月) 01:11:08封止のイメージは、ラミネートね。
ELみたいに透明である必要はないので、お菓子のふくろのようなのでいいかなと・・・
0133名も無きマテリアルさん
2006/11/11(土) 23:09:09どっちが特性良くなるん？
こういうのは疎水にして水の影響
をなくすためだけ？
0134名も無きマテリアルさん
2006/11/12(日) 04:02:27その上に乗せる有機半導体の配向が変わるとかなんとか。
だから、どっちが効果あるかは、乗せるものによるのだと思うし、
よく使われてるからといって、それが最適とは限らないね。
0135名も無きマテリアルさん
2006/11/12(日) 21:58:540136名も無きマテリアルさん
2006/11/14(火) 23:47:21確かに，レコード値はOTSの方が良い．ただ，OTSはつけ方がシビアな印象がある．
HMDSの方がOTSより適当につけても効果が出やすい．
あと最近だと，この手の特性の話は誘電率効果で説明するのが流行り
なんじゃないかと思う．
モルフォロジーとかで説明するのはOTSだとドメイン小さくなるとかで
汎用性を持っては受け入れられなくなりつつある．
個人的にはこの手のSAMとあわせてポリマーのバッファ層を検討してみてはと思うが，
なかなか広まらないね．SAMよりも作業が格段に楽なんだけど．
0137名も無きマテリアルさん ：
2006/11/15(水) 17:09:43どぶ漬け、スピンコートで溶液飛ばし、真空乾燥ってな具合
で大丈夫ですか？
論文見ても処理の仕方があまり載ってなっかたのでこの辺あやふやでして・・・。
0138名も無きマテリアルさん
2006/11/17(金) 07:18:41あくまでイメージだけど
「ポリマーのバッファー層」
脱イオン行程とか必要ないんだろうか？
ふつう重合触媒がそのまま入った高分子がペレットで
売られている気がするのですが
そのあたりは影響小さいとみてる？
P3HTもあるから、
触媒除去方法は確立されて
それほど気にしなくてもいい？
0139名も無きマテリアルさん
2006/11/17(金) 22:31:47論文を見てる限りや，重合度を考えれば問題は少ないと思う．
あと，バッファー層に使われるポリマーは理由がなければ
（上に溶液から膜をつけるので溶解性を調整したいとかがない限り）
極性基が無いものが選択されるので，
非極性溶媒にしか溶かして使うからイオン性の不純物はある程度そこで除けるし．
ま，誘電分散やヒステリシス測って問題があるようだったらあきらめるか，
グレードの高いものを買うしかないかと．
（すでにあるポリマーの精製手段は限られるし，たいして効果がないと思う）
0140名も無きマテリアルさん
2006/11/22(水) 22:18:04もう何でもありだな．
0141名も無きマテリアルさん
2006/11/22(水) 23:04:16意地悪い言い方だと「だから何？」って話でもある。
酸素暴露に対して弱すぎるので、そもそも実用性がねぇ。
0142名も無きマテリアルさん
2006/11/25(土) 19:24:40加熱するとしたら何℃くらいですか？
0143名も無きマテリアルさん
2006/12/09(土) 18:31:500.1というところもあれば1e-4というところまで。
何が効いてるんだろう。
0144名も無きマテリアルさん
2006/12/09(土) 21:31:11レコードの一桁落ちまでは基板洗浄とか純度とかをきちんとして，
論文でいわれた通りのことをしてればいける気がする．
Pentaceneしかり，P3HTしかり．
それ以上の領域はよくわからん．
0145名も無きマテリアルさん
2006/12/11(月) 23:10:540146名も無きマテリアルさん
2007/02/18(日) 03:10:28とこの時期に聞いてみる…
0147名も無きマテリアルさん
2007/02/18(日) 11:30:28http://www.plasticlogic.com/JapanesePR03Jan07.php
0148名も無きマテリアルさん
2007/02/24(土) 20:56:220149名も無きマテリアルさん
2007/02/25(日) 00:35:53有機トランジスタとか、有機分子デバイスの研究をするんだったらどこの会社がレベル高いんでしょうか？
0150149
2007/02/25(日) 00:40:49研究しているんですか？
0151名も無きマテリアルさん
2007/03/25(日) 17:19:52はあるのでしょうか？
高分子絶縁膜で作ったOFETは論文みたいに
あまり特性が出たためしがないのですが・・・。
0152名も無きマテリアルさん
2007/03/25(日) 19:24:39最近見た論文ではAlNdを使ってるところがあったけど，
平坦性とかピンホールの出にくさを重視するならむしろそっちかなと思った
と実験もしてないのにいってみる
0153名も無きマテリアルさん
2007/04/02(月) 17:50:06あっちはペンタセン、こっちはルブレンとかいろいろやってるところがあるが。
0154名も無きマテリアルさん
2007/04/15(日) 04:55:31単純に単結晶で見ても移動度が段違い。
0155名も無きマテリアルさん
2007/04/15(日) 09:41:180156名も無きマテリアルさん
2007/04/15(日) 20:04:21Pentaceneの薄膜のチャンピオンデータの方が速いのは面白いよな．
0157名も無きマテリアルさん
2007/04/15(日) 20:54:04バルク相と薄膜相は知ってるが、薄膜相のほうがはやいってこと？
0158名も無きマテリアルさん
2007/04/15(日) 21:33:51移動度がた落ちなんでバルク相よりも薄膜相の方が速いと言われている．
が，よく考えると上の事実は二つの相の移動度の大小について
何の証明にもなってないんだよね．
0159名も無きマテリアルさん
2007/04/15(日) 21:54:54見たことないな〜。
そもそも、SiO2上の第１層目は薄膜層とも違うパッキングであることを示す論文もある。
0160名も無きマテリアルさん
2007/04/16(月) 01:20:35超えるとバルク相（多結晶？）になって、移動度がた落ちと聞いた。
低温でつけるとアモルファス？なのかなあ。
ペンタセンについて詳しい人がいましたら、教えてください。
また、低分子の溶液化（オリゴチオフェンの末端修飾など）に
関する動向などもできれば教えてください。
安定かどうかについてはイオン化ポテンシャル（以下I.P.)が一つの目安
になってるようですが、低分子溶液でそこそこの移動度と大きいI.P.を
両立してるような材料はあるでしょうか。
わたしは高分子以外経験ないのです・・・
メルクの材料がなかなか良いと聞くのですが、大学にはなかなか
出してくれませんｗ。やむをえずP3HTでやってるのですが、これは
だめですなー。すぐ劣化。空気中で一日おいとくだけで、敷居電圧が
大きく正にシフト。（もちろんキレート処理で金属不純物は除いてる）
保管と測定は真空中で行ってるから、研究的には特に問題は
ないけど・・・
0161名も無きマテリアルさん
2007/04/20(金) 12:59:010162名も無きマテリアルさん
2007/04/20(金) 13:40:23沖縄県での選挙ですが、どうか民主党だけは避けてください。県民の生命に関わる可能性があります。
民主党の最大の公約は一国二制度（※）ですが、一度「一国二制度 沖縄 三千万」で検索をお願いします。
この際、民主党のＨＰで調べても良いです。以下の注釈↓と矛盾することは書いてないはずですから…
※一国二制度
簡単に言えば沖縄を中国と日本の共有物にし、そこに3000万人の中国人を入植させます。
（つまり沖縄人口の 96% を中国人にして、実質、沖縄を中国人の居住地とします。）
さらに「自主」の名の下、沖縄で有事が起きても自衛隊は干渉できません。
3000万人の中国人が、少数派となった130万人の日本人に何をしても、です。
そして反日教育を受けた中国人の反日感情の強さは、ほとんどの日本人の理解を超えるものです。
今回の選挙で民主党が勝った場合、「自主」「発展」を連呼しつつ段階的に進めていくことになります。
自主と言っても、自主を認めるのが「住人の96%が中国人となった」後だということに気をつけてください。
発展と言っても、新沖縄の少数派となった「少数民族日本人」の発展ではないことに気をつけてください。
0163名も無きマテリアルさん
2007/04/20(金) 20:38:47気相成長させるメリットってあるの？
（結果的にパフォーマンスがいいと言うことを除いて）
0164名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 00:08:52結果的に気相成長（蒸着）のほうが液層成長よりプロセスコスト安いかもよ。
両方やってみたことあるなら、決してウェットプロセスのほうが安い（処理時間も含めて）
とは感じないと思うが．．．
0165名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 02:23:42どんなプロセスを念頭においているのかわからないけど，
気相成長の方がコスト安いなら高分子EL研究してる人はいないと思う．
（暗いし，寿命短いし，結局カソードは蒸着でつけるんでしょとか
馬鹿にされつつもまだ生きてる）
あと，実験室の感覚は生産工程では役に立たないと思うけど，
蒸着で電極付けまで一貫して真空でできるとか，
高分子で異様にキャスト後のアニーリングに時間がかかるとかでない限り，
ウェットプロセスの方が時間や手間がかかると感じる人は少ないと思う．
0166名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 07:15:57一度に処理できる量が桁違いだから、量が増えるにつれて溶液成長のメリット大とおもってます。
数gだったらあまり差がないんだろうが
これが数トンになってくると、気相成長だと結構大変だとおもうが、どうよ？。
あと、性能もペンタセンは溶液のほうがよさげじゃない？
0167名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 08:57:31LSIプロセス技術に携わったことある人、ここにいませんか？
歩留まりはウェットプロセスのほうがよりネックになっていませんか？
0168名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 19:20:04ポテチの袋ってどうやって作っているか知ってる？
0169名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 19:30:04アルミ箔とフィルムをはりあわせてるんじゃなくて？
0170名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 20:58:360171名も無きマテリアルさん
2007/04/21(土) 22:11:53真空で着けるんですね。
なるほど。
ついでに、RtoR対応の蒸着装置はどこかに模式図or販売先ありませんか？
なんとなく、激しい駆動部分がある真空装置は、自分の常識とはかけ離れているので、
もっと詳しく知りたいです。
生産速度、到達真空度とか・・・・
0172名も無きマテリアルさん
2007/04/22(日) 00:25:08だったよ。
0173名も無きマテリアルさん
2007/04/22(日) 11:56:45RtoRの真空蒸着装置でパターニングとかどうやってするの?
0174名も無きマテリアルさん
2007/04/22(日) 23:09:070175名も無きマテリアルさん
2007/04/22(日) 23:13:48フレキシブルトランジスタとかよくいわれてるが、製膜はロールで
いいだろうけど、パターニングはどうするんだろうね。
印刷ではあまり解像度も出ないから、スカスカのものしかできない
だろうし。
0176名も無きマテリアルさん
2007/04/26(木) 13:03:000177名も無きマテリアルさん
2007/04/26(木) 23:46:34印刷でも20umくらいならいけるみたい．
欲を言えばもう一声欲しいけど，用途によってはこれくらいで十分じゃない？
ttp://www007.upp.so-net.ne.jp/y-kondo/precious_printing.htm
0178名も無きマテリアルさん
2007/04/27(金) 12:55:06だれか教えて、理由も
0179名も無きマテリアルさん
2007/04/29(日) 19:49:14全然答えになってないが・・・
液相成長難しいと聞いたことはあるよ。
実際、単結晶を液相で作りにくいんじゃないかな？
自分で試したわけではないのであくまで他人からの噂ですけどね
0180名も無きマテリアルさん
2007/05/10(木) 11:43:41線形領域の立ち上がりのところに直線引っ張って
移動度40cm2/Vsとか喜んでいる系統の論文ってどうよ？
個人的には寝言はTOF測ってから言えよって思うんだけど
0181名も無きマテリアルさん
2007/05/10(木) 19:06:45（理由わかるなら知りたい．．．）
もちろん、折れ曲がって以降でも移動度は高いけど。
0182名も無きマテリアルさん
2007/05/10(木) 21:51:38徐々に緩くなってくって事？
n型の薄膜トランジスタとかでもゲート電圧を大きくしていくと
伝達特性が伸びが悪くなるってのは見るんだよね．
この場合はたぶんキャリアの注入がこけてるだけなんだけど．
0183名も無きマテリアルさん
2007/05/10(木) 23:18:20あれなら使い物になるような気がするのだがどうよ。
n型のものではいまいち良いのがみあたらんけど。
0184名も無きマテリアルさん
2007/05/12(土) 10:41:40実際のところ将来性がどのくらいあるのかな？
アプリケーションがよほど魅力的or特性がもう1桁以上上がる(単結晶だとフレキシビリティがなくなるから多結晶で)でないと
ぶっちゃけマーケットがないように思えるのだが…。
0185名も無きマテリアルさん
2007/05/17(木) 13:54:170186名も無きマテリアルさん
2007/05/17(木) 15:34:36信頼性はもっと低い（一応改善されつつあるらしい）
低温プロセスでフレキシブルデバイスが実現できると
宣伝しすぎたせいか無機物でも低温プロセスが
可能な材料がわんさか出てしまって存在価値が…
というあたりじゃね
0187名も無きマテリアルさん
2007/05/19(土) 20:50:130188名も無きマテリアルさん
2007/05/24(木) 09:47:010189名も無きマテリアルさん
2007/05/24(木) 18:56:30これって左遷かね？
0190名も無きマテリアルさん
2007/05/24(木) 22:29:170191名も無きマテリアルさん
2007/05/25(金) 00:14:59おぉー、楽しそうー。
どの会社なんだろう・・・そこいきたいです。
来年卒業見込みだから、間に合うかなあ？
0192名も無きマテリアルさん
2007/05/28(月) 22:11:460193名も無きマテリアルさん
2007/06/03(日) 19:39:23神のみぞ知る。
今、塗布と騒がれているが、意外と、ドライプロセスで実用化ってこともありうるからな。
いずれにしろ、社会に広まるには、まだまだ様々な条件と、風が吹かないといかんな。
0194名も無きマテリアルさん
2007/06/05(火) 14:03:44なぜ？
0195名も無きマテリアルさん
2007/06/05(火) 17:04:16できないようになっているからだよ。それが普通のFET。
逆に「変態的な」両極性にしようと思ったら、ソースとドレインの種類を変えて、注入
できるキャリアの極性を非対称にするか、活性層をドナー・アクセプタ混合物や狭バンド
ギャップ材料にして、両極キャリアの注入障壁を同じ程度に下げればよい。
0196名も無きマテリアルさん
2007/06/06(水) 21:06:29活性層はペンタセン。電圧をマイナスでp型逆の電圧でn型。
0197名も無きマテリアルさん
2007/06/07(木) 00:44:03電子トラップを減らす工夫をすれば多少なりともｎ型で動作する。
正孔と電子の相互コンダクタンスと閾電圧をバランスとるのは難しいだろうけど。
あと、バランスをとれば、注入障壁のせいでどちらも低性能になるのでは？
0198名も無きマテリアルさん
2007/06/07(木) 01:23:27FET特性を電極からの注入も含めてきっちり解説してる
分かりやすい教科書なりレビューなりってないもんかね？
巷の論文を見てると（定量的な理解が皆無なので）需要はあると思うんだけど．
0199名も無きマテリアルさん
2007/06/07(木) 22:07:400200名も無きマテリアルさん
2007/06/10(日) 01:50:580201名も無きマテリアルさん
2007/06/10(日) 08:10:08まだ、きっちりわかってないんじゃないの？
0202名も無きマテリアルさん
2007/06/11(月) 06:31:360203名も無きマテリアルさん
2007/06/11(月) 21:04:340204202
2007/06/12(火) 06:02:200205名も無きマテリアルさん
2007/06/14(木) 00:39:14その名もずばり「有機デバイス研究会」なんてどうよ？
http://www.cstf.kyushu-u.ac.jp/trad/index.html
東海地区にあった当時に
一度だけ出席したことあったけど、
こじんまりとしてて、
アットホームな感じだったよ。
しかし、有機デバイスって
あまりにいろんな分野から人が来てて
話が理解できなかったり、かみ合わないこともしばしば、
それがおもしろいっちゃーそれまでだがｗ
0206名も無きマテリアルさん
2007/08/18(土) 20:03:500207名も無きマテリアルさん
2007/09/13(木) 18:50:050208名も無きマテリアルさん
2007/09/14(金) 00:15:35ルブレンで移動度が40でてるとかいう噂は聞いたが・・
0209名も無きマテリアルさん
2007/09/14(金) 00:23:450210名も無きマテリアルさん
2007/09/14(金) 23:29:44来年には、3桁の大台いったりして・・。
楽しみだ。
0211名も無きマテリアルさん
2007/09/16(日) 00:25:06って書きたいとこだけど、そんなのしかないもんなこの分野
0212名も無きマテリアルさん
2007/09/30(日) 11:57:570213名も無きマテリアルさん
2007/10/01(月) 13:31:030214名も無きマテリアルさん
2007/10/02(火) 22:28:33ELみたいに電流使うなら短チャネル化は必須でしょう。
0215名も無きマテリアルさん
2007/10/22(月) 22:18:22本当に実用化を考えてる人はどのくらいいるんだろ。
0216名も無きマテリアルさん
2007/10/23(火) 00:51:12５〜１０年かかるのでは？
0217名も無きマテリアルさん
2007/11/01(木) 22:54:07フレキシブル、・・・・だけ？
何もそこまで素性の悪い材料使わなくても、という気が・・・。
0218名も無きマテリアルさん
2007/11/03(土) 00:34:35大面積にするほど相対的に安くなる。
なんと言っても密度が軽い。
化合物としてはカスタマイズが容易にできる。・・・研究にはよい。
今のところ目新しい。・・・研究には良い
0219217
2007/11/05(月) 23:43:34塗布・印刷法以外で作る有機トランジスタは、価値少ないってことだな。
0220名も無きマテリアルさん
2007/11/07(水) 15:11:02金属配線もペーストでガンバッテ精度出して、フィルム基板の耐熱温度ぎりぎりで
ガンバッテ焼くくらいならマスク蒸着のほうが早いし安い。
0221名も無きマテリアルさん
2007/11/13(火) 19:48:480222名も無きマテリアルさん
2007/11/13(火) 22:11:55去年エプソンが似たような発表をしているけどどう違うのか興味あるね。
結局シリコン焼成温度500℃とかだったりして。
0223名も無きマテリアルさん
2007/11/13(火) 23:49:56同感。
これで200℃以下で焼成だったらけっこうすごいけど・・また詳細わかったらおしえてよ。
＞221
0224名も無きマテリアルさん
2007/11/26(月) 21:19:46パリレン腐ってんのかな
0225高専生
2007/12/08(土) 20:29:310226名も無きマテリアルさん
2007/12/09(日) 16:55:350227名も無きマテリアルさん
2007/12/10(月) 00:35:35みたいだねえ。
このペースで、10年やれば、絶対モノになりそう。
これから立ち上がるものってのは、ほんとわくわくする。
生きてる内にどこまでみれるかわからないけど、おうぶつも盛り上がりを期待したい。
0228名も無きマテリアルさん
2007/12/29(土) 09:57:16今月の月刊トランジスタでも見てみたら？
0229名も無きマテリアルさん
2008/01/05(土) 11:05:080230名も無きマテリアルさん
2008/01/23(水) 22:22:20捏造呼ばわりされる世界ってすごいな。
こちとら、1ヶ月前のサンプル残す意味だって怪しいのに。
0231名も無きマテリアルさん
2008/01/28(月) 23:14:18おいしいサバだったんですよ。そのときは本当に
おいしかったんですよ。としかいえない。
今はただの腐った魚だけどな。
0232名も無きマテリアルさん
2008/01/29(火) 17:18:36Siとか石英ガラスに比べて表面が凸凹で使えねぇって聞いたんだけど
電極蒸着さえきっちりやってやれば、凸凹ってなくなるものなの？
ついでに、現在絶縁層にPVPhに架橋剤混ぜて使ってるんだけど、
溶媒によって特性って大きく変わるの？
知ってる人がいたら教えてくださいな！
0233名も無きマテリアルさん
2008/02/02(土) 01:16:19まあ、無機基板に比べるとラフネス大きいけど、デバイス作れてる。
電極蒸着しても、下の凹凸は拾うし、そこは割り切って使う。
で、PVPだけじゃないけど、溶媒によっては絶縁膜がうねったりして特性落ちたりするな。
たぶんアルコール系か水だろうけど、
高沸点溶媒だと、残留溶媒とかもあり得る。
つまりは粘性と沸点の問題が大きいかな。
0234名も無きマテリアルさん
2008/02/02(土) 05:51:430235名も無きマテリアルさん
2008/02/03(日) 21:53:110236名も無きマテリアルさん
2008/02/04(月) 20:57:34オール有機は、情報少な過ぎて、開発スピードが遅すぎ。
なんとかならんだろか？
0237232です
2008/02/17(日) 01:16:26架橋してないPVPにはイソプロパノール使いました。
架橋してないPVPに比較して架橋したPVPはソース・ドレイン電流飽和が異常に出にくい状況です。
有機半導体はP3HTなんで飽和が出ないことがチョクチョクあるのはわかるんですが、
架橋したPVPのほうが機械強度が上昇してるので薄く製膜できてるのに飽和が出にくくなる
理由を具体的に知ってる人いませんか？
ちなみにガラス基板でP3HTトランジスタ作ったら、移動度13cm2/Vsでた〜〜！
完全に間違い決定なので削除しましたが、教授に報告したら学会決定しそうww
バレないように完全消去決定しました。
0238名も無きマテリアルさん
2008/02/17(日) 01:38:36あそこはねぇ・・・
0239名も無きマテリアルさん
2008/02/17(日) 10:10:57移動度は高そうだが。。。
0240名も無きマテリアルさん
2008/02/17(日) 10:46:11すごく欠陥の少ないCNTを比較的短チャンネルで使えば移動度（この概念当てはまらない
けど）は高くなるよ。でも、有機TFTと同じ感覚で適当にばらまいた欠陥と不純物だらけ
のやつをTFTにしても移動度はP3HTに劣る。
まずは、低欠陥の半導体チューブだけを高純度に精製する方法でも研究してくれ。
0241名も無きマテリアルさん
2008/02/17(日) 13:14:18ばらまいた時の移動度は反則だと思った．文字通りドーピング．
というか，最近の炭素半導体の流行りはグラフェンじゃないの？
CNT FETより作るの簡単そうだし．
0242名も無きマテリアルさん
2008/09/13(土) 16:59:460243名も無きマテリアルさん
2008/09/13(土) 19:10:580244名も無きマテリアルさん
2008/09/22(月) 01:58:29グラファイト薄膜FETを作るのは簡単だが、グラフェンFETを作るのは難しいぞ。
0245名も無きマテリアルさん
2008/09/22(月) 21:59:270246名も無きマテリアルさん
2008/09/23(火) 00:14:12今はどうやって作ってるんでしょうか？
材料いじってるんで、
前駆体を加熱したらグラフェンになるような、
塗布溶液を周囲にナイショで開発してみっかな。
ニーズがあるのかさえも検討つかんが・・・
ところで、昨日の新聞に載ってた
超低電圧駆動するイオン液体使ったOFETはどうよ？
特に興味なし？
0247名も無きマテリアルさん
2008/09/23(火) 16:53:52うーん、ああいうのって実用化はどうなんだろう。
同じようなことは無機半導体でも可能だけど、それが使われている例は知らないな〜。
LSIで使っているようなhigh-k絶縁膜とどちらが安くて歩留まりいいかで勝負かな。
0248名も無きマテリアルさん
2008/09/23(火) 21:42:37FETよりはITOの代替でも狙ってればいいんじゃないか？
絶縁膜にイオン液体の奴は、基礎研究としてはいいが、
何かの役に立つとは思えない。
そこまでして移動度なんか100もでないわけだし・・・
0249名も無きマテリアルさん
2008/09/24(水) 12:04:51グラフェンの薄膜ならグラファイトをセロテープでぴっと剥がせば作れる．
そこら辺もノウハウがあるんだろうが，
問題は無限に広がったグラフェンはバンドギャップが0ってことで，
ナノサイズに切り刻まないといけないってことかな．
>>246
電解液を絶縁膜として使う研究ってミネソタとかでもやってるけど，
結局実用上は色物と言うレベルから脱してない．
あと，キャリア密度は高くとれるけど，
応答速度がとれないのがある種の用途には致命的なんではないかと．
0250名も無きマテリアルさん
2008/10/05(日) 08:33:32名前は忘れてしもた・・
0251名も無きマテリアルさん
2008/12/06(土) 16:28:420252名も無きマテリアルさん
2008/12/06(土) 16:46:350253名も無きマテリアルさん
2008/12/06(土) 19:29:06ここ数年は飯食うのに困らなさそうだけど、その後はわからんなぁ。
製品になれば、それこそ引く手あまただし、ぽしゃれば路頭に迷う。
0254名も無きマテリアルさん
2009/04/18(土) 22:20:330255名も無きマテリアルさん
2009/04/19(日) 00:09:03どうせなら、真の実力はどこが持っているのか、裏情報やらガセ情報やら
投げてよ。
0256名も無きマテリアルさん
2009/04/20(月) 01:10:11まだ、企業よりも大学の方が
進んでるように見えるのは俺だけ？
2年前のデータで比較しても
大学に軍配が上がると思うんだけど・・
0257名も無きマテリアルさん
2009/06/03(水) 01:08:510258名も無きマテリアルさん
2009/06/03(水) 01:09:41研究室にはその研究室独自の特徴があるから，
そこで比べれば企業より進んでいると俺も思う．
ただ片っ端から材料当たったり，もしくは構造変えたりとか，
人数で勝負みたいな感じになれば，企業に軍配があがるかもね．
0259名も無きマテリアルさん
2009/07/03(金) 08:44:340260名も無きマテリアルさん
2009/07/17(金) 01:35:460261名も無きマテリアルさん
2009/09/01(火) 02:53:21ttp://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090817/174277/?ST=fpd
0262名も無きマテリアルさん
2009/11/07(土) 01:38:38■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています