強誘電体について語るスレ

0001名も無きマテリアルさん

2005/04/14(木) 23:46:13

それではどーぞ。

0002名も無きマテリアルさん

2005/04/16(土) 14:00:51

に。

0003名も無きマテリアルさん

2005/04/16(土) 16:08:16

高誘電体(・∀・)ｲｲ!

0004名も無きマテリアルさん

2005/04/19(火) 15:45:02

チタバリ!?

0005名も無きマテリアルさん

2005/04/20(水) 23:59:08

やっぱ、ナマーリだろ！？

0006名も無きマテリアルさん

2005/04/21(木) 00:00:48

ＰＶＤＦ。

0007名も無きマテリアルさん

2005/04/22(金) 16:00:46

4/17から4/20までのISIF2005に行ってきたぞ。
会場は上海の領事館のすぐ近く。
中国人は死ね。

来年はハワイらしいよ。
みんなで行こうぜ！

※ISIF…International Symposium on Integrated Ferroelectrics
　　　　　強誘電体関連では権威ある国際学会

0008名も無きマテリアルさん

2005/05/10(火) 20:16:53

ＩＳＩＦはブロードムアに泊まったのが忘れられない
あんな高級ホテルそんな時じゃないと泊まれないし

0009名も無きマテリアルさん

2005/05/16(月) 23:26:36

教えて、エロい人！！！
P-Eヒステリシスを測定して誘電率を算出したのですが、どうも値がおかしいです。
真空の誘電率の単位が（F/m）だったので（C/m）に直して計算したのがまずかったんでしょうか・・・？
8.854*10E-12を使えば確かにしっくりくる値になるのですが・・・

0010名も無きマテリアルさん

2005/05/19(木) 20:50:40

>>9

F/mがどうやったらC/mになるのでしょうか。

そもそも、
電荷(C)=静電容量(F)×電圧(V)
です。
どうあっても、F/mをC/mに換算はできません。

ある電界での分極量P(μC/cm2)がわかればここから、
P(μC/cm2)=ε0（F/m)×εr(定数)E（V/m) 式1
となって、さらにP=F×V
から式1の両辺が消えて比誘電率がでるはず。
C/mにしなきゃいけないとかどうとかそういった問題ではない。

00119

2005/05/21(土) 16:49:59

>>10

１F（ファラデー）＝96500C（クーロン）ではないのですか？

0012名も無きマテリアルさん

2005/05/22(日) 00:35:45

>>11
ファラデー定数と静電容量Ｆ（ファラド）を間違えてる。
両者は別のものだ。それにファラデー定数なら
1Ｆ（ファラデー）　＝　96500 C/molだろうがよ。

静電容量の単位のF(ファラド)はある物質に1Vの電圧がかかったときに
1C(クーロン)の電荷を蓄えることができることを意味している。

ファラデー定数は1molを電気分解するのに必要な電気量が96500C
ということをあらわしている。

記号がおんなじだし、両方を”Ｆ”で表現しちゃうのは確かに紛らわしいな。

0013９

2005/05/22(日) 21:05:07

>>12

謎が解けました。
どうもありがとうございまつた(｀･ω･´)

0014名も無きマテリアルさん

2005/05/25(水) 00:10:27

前にNatureに載ってたBiFeO3ってあるじゃん。
あれって本当にポスト鉛系材料になるのかね？

0015名も無きマテリアルさん

2005/05/25(水) 02:56:42

>>14
なると思っているグループは既に着手しているよ。

0016名も無きマテリアルさん

2005/05/26(木) 22:38:51

京都行ってるやついる？

0017名も無きマテリアルさん

2005/06/10(金) 20:26:34

FMAって、たまには違う会場の方が良いんでない？
京都飽きたから行かなかったよ。

0018名も無きマテリアルさん

2005/06/18(土) 20:53:35

強誘電体を専門にしてるやつって少ないのか？

0019名も無きマテリアルさん

2005/06/19(日) 01:29:32

磁性に比べたら少ないでしょ。

0020名も無きマテリアルさん

2005/06/30(木) 22:03:47

俺はよく知らんが、超伝導ってまだHOTなん？
企業ではあんまりやってない気が・・・

0021名も無きマテリアルさん

2006/02/17(金) 01:42:02

XkM65YFE.Ls

0022名も無きマテリアルさん

2006/02/17(金) 01:42:06

bxxd23IUVkU

0023名も無きマテリアルさん

2006/02/17(金) 01:42:15

J1siTuoVdd6

0024名も無きマテリアルさん

2006/02/17(金) 02:16:36

WFk78o/wJRI

0025名も無きマテリアルさん

2006/02/17(金) 02:17:23

HwrkIhe5Lpk

0026名も無きマテリアルさん

2006/07/17(月) 12:18:29

lihk.lhy

0027名も無きマテリアルさん

2006/07/17(月) 21:55:34

ttp://mmk.hp.infoseek.co.jp/cgi-bin/src/up1034.jpg

0028名も無きマテリアルさん

2006/08/09(水) 16:29:16

P-Eヒステリシスを測定して誘電率を算出したのですが、どうも値がおかしいです。
真空の誘電率の単位が（F/m）だったので（C/m）に直して計算したのがまずかったんでしょうか・・・？
8.854*10E-12を使えば確かにしっくりくる値になるのですが・・・

0029名も無きマテリアルさん

2006/08/28(月) 22:18:48

大発見!!
分極量１００００

nC/cm2

0030名も無きマテリアルさん

2006/08/30(水) 22:33:48

強誘電体薄膜は東工大が強いよね。
でも、応物の強誘電体薄膜の発表件数へってるなー・・・。
FeRAMがもたもたしているあいだに、ReRAMとかMRAMとかほかのが
じゃんじゃん出てきちゃったからかな。

0031名無しさん＠お腹いっぱい。

2006/11/27(月) 14:46:39

0032名も無きマテリアルさん

2006/12/06(水) 23:38:28

素朴な質問だけど、鉛が入ってちゃいけないのは分かるけど、鉛入ってると強誘電体になるの？？

0033名も無きマテリアルさん

2006/12/07(木) 08:06:13

とりあえず教科書読んで勉強しな

0034名も無きマテリアルさん

2006/12/11(月) 13:25:04

>>32
なかなか本質をついた質問だな。
鉛と酸素があれば、強誘電体になるのか。構造は。
難しいです。
教科書にまだ、答えは無いでしょう。

0035名も無きマテリアルさん

2006/12/25(月) 21:08:20

結局、結晶構造が、規則的な分極を保持し得るかどうかが
強誘電体の本質でしょう
今のところ、鉛の入った一部の物質が都合が良かった。
それだけのこと。

0036名も無きマテリアルさん

2006/12/29(金) 12:52:04

物質の構造と誘電体について、
誘電体特性の測定について、それぞれ、お薦めの本ありませんか？

0037名も無きマテリアルさん

2007/01/08(月) 22:08:49

>>35
そうは言い切れないでしょう。
結晶構造だけで良いなら、チタン酸鉛と同じ物は沢山あるし。
なぜ、都合が良いか？って分かってる事なんですか？

0038名も無きマテリアルさん

2007/02/11(日) 15:31:52

>>37
センスねーな
鉛である必要は無い。
今話題にしてるタイプの強誘電体なら、
原子の変移を許容して、なおかつそれを規則的に
安定化できる物質であればいいってことはみんなつかんでる。

わかりまちたかー？

0039名も無きマテリアルさん

2007/10/04(木) 21:03:48

ヒステリシスループの周波数ってどのくらいで測るがいいの？
1KHzで測ってるんだけど、周波数高すぎるのか？

0040名も無きマテリアルさん

2007/10/06(土) 13:15:23

>>39
ケースバイケース。
1kHzはよくある範囲内。
物性をきちんと見たければ周波数が低い方が理想的だけど
リーキーなサンプルのヒステリシスループをどうしても確認したいときは
1kHzはあり。
ただし発表時は周波数条件を明確に。

0041名も無きマテリアルさん

2007/10/06(土) 13:59:13

>>40㌧クス
たしかにそうだよね。漏れが多いサンプルはどうしても絶縁破壊しちゃうから、そういうときだけ1kHzでみてみる。
助かった。ほんとにありがとう。

0042名も無きマテリアルさん

2008/06/15(日) 03:21:06

低レベルの質問ですいません
測定時の周波数とリークにはどうゆう関係があるのですか？

0043名も無きマテリアルさん

2008/07/05(土) 08:26:46

>>42
最も簡単なモデルでは、強誘電体キャパシタは
抵抗Rと容量Cの並列回路で表されます。

強誘電体キャパシタにかかる電圧と流れる電流をV,I
R成分とC成分に流れる電流をI(R)、I(C)とすると、
I=I(R)+I(C)=V/R+d(CV)/dt
（ここでV/I=R、CV=Q、dQ/dt=I(Qは電荷量)を前提にしています）
上の式を積分すると
Q=∫(V/R)dt+CV
ということで1サイクルの時間が長い（=測定周波数が小さい）と
時間の積分になっているR成分の寄与が大きくなります。

別の表現だと
アドミタンスY=j(2πf)C+1/R
で周波数が大きくなるとC成分の寄与が大きくなります。

0044名も無きマテリアルさん

2008/07/20(日) 22:16:32

集団ストーカー被害・電磁波被害に興味を持って下さい。
http://mongar.biroudo.jp/without/without.html

0045名も無きマテリアルさん

2009/05/01(金) 11:15:40

強誘電体としてチタン酸バリウムなどが有名ですが、
強誘電性の液晶の誘電率は高いものでどれぐらいの値を示すのでしょうか。

0046名も無きマテリアルさん

2010/07/29(木) 16:17:41

ヒステリシスループを測定するにはどうすればいいの？
ググると測定専門の高価な機械がヒットするんだけどそういうの買うしかないの？