とつぜんですまんがMBE関係の論文でInAs/InGaAs/GaAsでInAsドット作ると
InAs/GaAsの時よりも密度が上がる、っていうの見かけたんだけどどうしてだろ？
InGaAsはIn=0.15,Ga=0.85で50nmくらいだったかな・・・