【GaAs】Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体【終わり?】
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0001名も無きマテリアルさん
NGNG0002名も無きマテリアルさん
NGNGGaAsだって量子ドットとかでまだ熱いだろ。
GaNなら言うまでもない。
InP系は…
0003名も無きマテリアルさん
NGNG0004名も無きマテリアルさん
NGNGひずみSiもポリシリコンも邪道。
単結晶Siで今日も生きる
0005名も無きマテリアルさん
NGNG光デバイスはどうすんの？
0006名も無きマテリアルさん
NGNG0007半導体初学者
NGNGなぜＮ型およびＰ型半導体にも真性キャリア
が存在するんですか？勉強はじめたばかりな
ので理解に苦しんでいます。
0008名も無きマテリアルさん
NGNG0009名も無きマテリアルさん
NGNG不毛不毛不毛不毛不毛不毛不毛不毛
0010名も無きマテリアルさん
NGNGInAsドットか？1.55um目指しているのかしら。
量子ドットブームもそろそろ下降気味な予感だが、どう？
0011名も無きマテリアルさん
NGNG富士通研究所と東京大学、究極の暗号「量子暗号通信」の高速化に道開く
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20040715-00000013-zdn_ep-sci
0012名も無きマテリアルさん
NGNGﾜﾗﾀ
0013名も無きマテリアルさん
NGNG0014名も無きマテリアルさん
NGNG熱
0015半導体初学者
NGNGドナーによって生成された電子以外にも
熱励起によって元々のSiの価電子が励起
し、それが真性キャリアということで良
いんでしょうか？
0016名も無きマテリアルさん
NGNG・フォトニック結晶
・GaN系
が流行かねえ。
0017名も無きマテリアルさん
NGNG0018名も無きマテリアルさん
NGNG他に用途あるかいな？
0019名も無きマテリアルさん
NGNGｵｲｵｲオイｵｲ
0020名も無きマテリアルさん
NGNG0021名も無きマテリアルさん
NGNG0022名も無きマテリアルさん
NGNG0023名も無きマテリアルさん
NGNGｵｲｵｲオイｵｲ
0024名も無きマテリアルさん
NGNG物性だったら物理学系。発光現象とかバンド計算やっている人でしょう。
0025やりすぎて&rlo;がすでんい痛がこんち&lro;
NGNG0026名も無きマテリアルさん
NGNG0027名も無きマテリアルさん
NGNG0028名も無きマテリアルさん
NGNG│
│
│∀・）＜・・・
│
│
│ミ ﾋﾟｬｯ 漏れは口頭講演ですた
0029名も無きマテリアルさん
NGNG貴様窒化物か！
0030名も無きマテリアルさん
NGNGGaAsなら俺の机の上にごろごろちらばってるよ
0031名も無きマテリアルさん
NGNG0032名も無きマテリアルさん
NGNG0033名も無きマテリアルさん
NGNG結局Siにはかなわなかったし、GaN系が強くなっちゃったし。
GaAsは中途半端、毒物だし。
0034名も無きマテリアルさん
NGNGSi, GaAs, InP系が具体的に何に使われているか分かってないだろ。
Siが光るとでも？GaN系の光通信レーザがあるとでも？
0035名も無きマテリアルさん
NGNG0036名も無きマテリアルさん
NGNG結局化合物って光るしか脳がないということですか。
まったく使えん。
0037名も無きマテリアルさん
NGNG0038名も無きマテリアルさん
NGNGSiの利点って
資源が豊富
いい酸化膜が堆積可能
大口径基板
ってとこ？
0039名も無きマテリアルさん
NGNG0040名も無きマテリアルさん
NGNGInN・・・
>>37
夢見がちなお年頃ですね
0041名も無きマテリアルさん
NGNGまぁ将来性で売るならInNは立候補の1つだけど・・・
InGaAsPと比較してはelectronの質量の軽さと、温度特性だっけ？
GaN導波路にErドープで1.55出るって論文もあったけど怪しすぎる・・・
誰か詳細知らない？
0042名も無きマテリアルさん
NGNG0043名も無きマテリアルさん
NGNG0044名も無きマテリアルさん
NGNG0045名も無きマテリアルさん
NGNG0046名も無きマテリアルさん
NGNG性能的に
GaN>GaAs>InP
ということでよい？
半導体の性能って電子の拡散速度によって決まるんだよね？
0047名も無きマテリアルさん
NGNGHEMTに関して言えば
電圧がちいさければInP，GaAs>GaN のはずでは？
一概にGaN>GaAs>InPとは言えないかと．．．
0048名も無きマテリアルさん
NGNGGaN>GaAs>InP
と書いたのはこのスレを読んでそんな感じかな
と思っただけです。
実際は、
InP，GaAs>GaN
なんですね。では、なぜＩｎＰはもうだめなんでしょう？
0049名も無きマテリアルさん
NGNGInP系がダメというわけではなく、InP系の主な用途である光通信産業がもうだめぽ。
GaAsの用途の赤～黄緑あたりのLED、HEMTは研究としてはひと段落だが、需要はしぶとく残っている
GaNは青・緑のLED、LDが市場に出ているとともに、白色LEDや紫外など研究でも盛ん
0050名も無きマテリアルさん
NGNG0051名も無きマテリアルさん
NGNGGaN,GaAs,GaSb,InN,InAs,InSbそれぞれの最適な成長条件は違うやろうし...
AlInGaAs系の成長しかしたことないので詳しく分かりませんが...
0052名も無きマテリアルさん
NGNG0053名も無きマテリアルさん
NGNG0054名も無きマテリアルさん
NGNG0055名も無きマテリアルさん
NGNG0056名も無きマテリアルさん
NGNGバンドギャップが0.7eV位のGaInNAsSbでGaAsを障壁層にしたとき
何タイプの井戸になるんですか？Sbの組成で変わってくるんですか？
0057名も無きマテリアルさん
NGNGhttp://yamazakikoutarou.gooside.com/nichia-nakamura.html
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中村修二は「産業スパイ」だった…のか?
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（中略）
そもそも中村修二が日亜化学を退職し、アメリカに渡ったのは、何故か。ここに
中村修二の「裁判闘争」の真の意味は隠されている。つまり「アメリカ行き」と
「裁判闘争」はセットだったのである。中村修二が「産業スパイ」ではないか、と
いう疑惑が発生する理由である。（中略）つまり、クリー社も、中村修二の「自慢
話」(サクセスストーリー)にまんまと騙されていたのだ。
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知ったかぶりの雑文屋・日垣隆が、この問題に関して、
まったく無知・無学のドシロウトであることを暴露する!!
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日垣隆という人が、「エコノミスト」の「敢闘言」で、無知・無学・無教養を
さらけ出して、頓珍漢な怪気炎をあげているのを、友人に教えられて読んだ。（中略）
ところで、この問題で頓珍漢な怪気炎を挙げている日垣隆も、そういう「バカの壁」
族の一人のようだ。（中略）この一連の発言を読んで私は、お気の毒だが、日垣がこの
問題に関してまったく無知・無学のドシロウトであると断言せざるをえない。
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中村修二氏の発明「２００億円」判決は、美談か?
2004/02/01 (日) !!
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（中略）僕は、中村氏がアメリカの大学への転職を契機に会社を告発する裁判闘争を
開始した背景には転職をめぐって中村氏とアメリカの大学や会社との間に裏取引が
あったと見ている。結局、中村ナニガシは、アメリカ資本に「魂」を売ったのであって、
こんな話は美談でもなんでもありはしない。（中略）科学者も文学者も、やはりカネに
目が眩むようになったらオシマイだろう。次はノーベル賞? もういいよ、この人。
0058名も無きマテリアルさん
NGNGっ http://www.dawgsdk.org/crystal/library/zinc-blende
0059名も無きマテリアルさん
NGNGところでこれ何？
0060名も無きマテリアルさん
NGNG・・けど意外とよく出来ているｗ
この絵、ちょっと修論に使わせて頂きます。
0061名も無きマテリアルさん
NGNG0062名も無きマテリアルさん
NGNG今、調べてる限り芝浦工業しか見つからない…
0063名も無きマテリアルさん
NGNG成長のモンテカルロ計算とか？発光の仕組みを第一原理から計算するとか？
窒化物の成長やっている研究グループだったら大抵実験の
おまけとしてシミュレーション（理論計算）もきっちりやってるよ。
0064名も無きマテリアルさん
NGNGプラズマ使わないよ～ ヒドラジン使い切るまで流そうかなぁ～
0066名も無きマテリアルさん
NGNG0067名も無きマテリアルさん
NGNG環境コストかかりすぎ。
0068名も無きマテリアルさん
NGNGあれ単なる理由付けだよな。Asなんか対して毒性ねーよ。
実際光通信デバイスや赤～オレンジのLEDはほぼAs使ってるし。
NとII-VIやりながら環境がどーのいってる錯乱したグループを
見かけたが、学生は理解してやってんのか？
0069名も無きマテリアルさん
NGNGいやでも法律で毒物やって言われてるから
原料とかの扱いとか手続きとか廃棄とかいろいろ
Nとかに比べたらめんどくさくて手間がかかるのは
事実。
0070名も無きマテリアルさん
NGNG0071名も無きマテリアルさん
NGNG0072名も無きマテリアルさん
NGNG0073名も無きマテリアルさん
NGNG0074あぼーん
NGNG0075名も無きマテリアルさん
NGNG0076名も無きマテリアルさん
NGNG今年は、Gaの動きが非常に気になります。
0077名も無きマテリアルさん
05/01/26 13:50:410078名も無きマテリアルさん
05/01/26 18:44:290079名も無きマテリアルさん
05/01/27 00:26:38それこそコストが命では？
0080名も無きマテリアルさん
05/01/27 01:11:12量子ドット？東大？
0081名も無きマテリアルさん
05/01/28 21:57:04実は（111）面でエピとか。ｗ
0082名も無きマテリアルさん
05/02/01 17:24:02先日研究テーマ与えられ先生に自由なドット位置制御を目指せ！と力説されたのですが、
制御できたら何に使えるの？って疑問です。
（００１）面？とかなんとかっていってました。
研究室新入りなんでよくわかりません･･･
0083名も無きマテリアルさん
05/02/02 01:13:27（煽っているわけじゃないよ。）
電通大だったか、位置の制御やってたっけな（遠い記憶）
位置制御の前に、サイズは揃ってんの？
0084名も無きマテリアルさん
05/02/02 16:01:25最終的にはどういうものが作りたいのでしょうか･･･作れるのでしょうか？
0085名も無きマテリアルさん
05/02/02 21:50:53というかレーザーとなるとドットのサイズも原子層単位の制御が必要と
思うのですが。量子井戸レーザーもそうやし...
そこのとこはどうなんですかね？
0086名も無きマテリアルさん
05/02/03 01:16:27InAs/GaAsの量子ドットだったら>>85の言うとおり、レーザとかディテクタの研究がありがちかな
1.3umの量子ドットレーザが発振して、最近は1.55umを目指すってのが流行かと
ただ、レーザにもディテクタにしても光デバイスには位置制御はほとんど必要ないよな
位置制御が必要と言えば、単電子トランジスタとか、単一光子光源かなあ
完璧に整列させられればフォトニック結晶とかの応用もあるかと
0087名も無きマテリアルさん
05/02/04 14:22:00おっしゃる通りフォトニック結晶とあわせてなにかしようとしてるのかな･･･
フォトニック結晶への応用例ってどんなものなのでしょうか？？
0088名も無きマテリアルさん
05/02/04 17:05:140089名も無きマテリアルさん
05/02/05 02:45:17確かに量子コンピュータってはじめっから言ったほうがいいな
>>87
フォトニック結晶の応用ってのは、そのまんまフォトニック結晶のピラーを量子ドットにするのよ
今あるフォトニック結晶のピラーはエッチングを使って250nm程度。量子ドットは20nm程度だから、
位置を制御できれば微細なレーザや光スイッチが出来る。そうすれば、光集積回路なんかも
展望的に出来ることになる
0090メモらせて
05/02/05 16:40:25http://tmp4.2ch.net/test/read.cgi/joke/1107588806/
http://academy3.2ch.net/test/read.cgi/whis/1107589113/
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/rikei/1107589185/
0091名も無きマテリアルさん
05/02/06 18:31:57あれをドットにするということですか。
ところで単電子トランジスタを応用したものが量子コンピュータということですか？
１．ドットの位置制御⇒単電子トランジスタ⇒量子コンピュータ
２．ドットの位置制御⇒フォトニック結晶への応用
みたいな感じと思ってよいのでしょうか。
0092名も無きマテリアルさん
05/02/06 23:03:15単電子トランジスタは量子コンピュータの候補のうちの１つ、程度の段階だよ
89は量子コンピュータって書こうと思って間違えて単電子トランジスタと書きました、程度の意味だと思って
量子コンピュータはそもそもShorのアルゴリズムが元になっているわけで、それを物理的に何を用いるのかは
まだまだ模索段階。IBMなんかは液体で素因数分解を達成したし、
富士通は量子ドットを配列させた結合量子ドットで量子コンピュータが作れると提案している。
まあ、本当に量子ドットが位置制御できたり、形状やサイズや密度が完璧に制御できるならば
ものすごい革新的できごとでしょう。因みに、量子ドットはどのように作ってるんですか？MOCVD？MBE？
0093名も無きマテリアルさん
05/02/06 23:55:21おいらは窒化物半導体だよ…。
地味杉。
0094名も無きマテリアルさん
05/02/07 03:32:20俺も窒化物やりたいよ
しかし窒化物で量子効果もあるでしょ
AlN/GaN量子ドットとか、ISBTとか
0095名も無きマテリアルさん
05/02/07 12:59:13私はまだ使ったことはありませんが。
0096名も無きマテリアルさん
05/02/07 16:07:21InAs/GaAsの時よりも密度が上がる、っていうの見かけたんだけどどうしてだろ？
InGaAsはIn=0.15,Ga=0.85で50nmくらいだったかな・・・
0097名も無きマテリアルさん
05/02/07 19:51:44拳銃の所持で逮捕されたらしいぞ！
0098名も無きマテリアルさん
05/02/08 01:26:57窒化物の何が今現在流行ってるのでしょうか？
窒化物と聞いたら青色発光ダイオードぐらいしか思いつかないアホなおいらに教えてくださいませ。
0099名も無きマテリアルさん
05/02/08 02:34:02InPの上にtensileのInGaAsをバッファで敷いてInAsを成長すると
均一になる≒密度増加するって聞いた事あったかなあ。確かcaltechの論文。この場合は
・tensileのバッファで歪みの増加
・界面でのAs/P交換の抑制
が直感的に予測できるけど、>>96に書いてあるのは両方とも当てはまらない状況だなあ
compressiveでAs/P界面も無し。Inの偏析でも関係あるのかしら
その論文の元は？晒しても問題ないでしょ。てか論文にちょっとは考察書いてあるのでは
0100名も無きマテリアルさん
05/02/08 02:36:44>>98
おれも窒化物やってるわけじゃないからそこまで詳しいわけじゃないけど
よく聞くテーマは(In)GaNの発光過程の解明、結晶成長、Al(Ga)N深紫外LED
In(Ga)N遠赤外・光通信帯域のデバイスへ向けた結晶成長、GaN量子ドット、
AlN/GaN面発光レーザ、AlN/GaN ISBTを用いた超高速光スイッチ・QWIP(QDIP)・カスケードレーザーなど・・・
やっぱ可視領域ってのが一番ロマンを感じる。
InP系なんぞPLとっても何も目では見えないのが寂しい。てか光通信秋田
0101名も無きマテリアルさん
05/02/08 11:34:35程度であんまりよくみなかった･･･・時間なかったもんで・・・
また見にいってみよう。
もし詳しい人いたらなにか教えてほしいです。
0102名も無きマテリアルさん
05/02/08 12:42:03ピラーをドットにするというのは
ドットのあるところにフォトニック結晶の欠陥を作って光導波路にする、ということですか？
ドットが発光してその光を伝播できる→だからドットの位置制御が必要
と理解してよいのでしょうか？
0103名も無きマテリアルさん
05/02/08 13:28:09この原因ってなんですか？
ホール素子が幾何学的に非対称とかじゃないですよね？
0104名も無きマテリアルさん
05/02/09 01:18:35測定系がおかしいだけなんじゃねーの？
0105名も無きマテリアルさん
05/02/09 09:47:07それもあると思うんですが、それ以外に原因があるらしいんです。
0106名も無きマテリアルさん
05/02/19 15:25:280107名も無きマテリアルさん
05/02/19 18:50:580108名も無きマテリアルさん
05/03/02 09:48:370109名も無きマテリアルさん
05/03/03 00:14:23初めて聞いた
0110名も無きマテリアルさん
05/03/03 20:36:51間違えただけか
0111名も無きマテリアルさん
05/03/04 03:01:290112名も無きマテリアルさん
05/03/08 21:22:23InGaAs成長後にクロスハッチがあるからとか？
クロスハッチってそんな密度あったかな (-_-;ｳｰﾝ
0113名も無きマテリアルさん
2005/05/27(金) 20:21:57どうしてHCVDでAlNをつくるときに蒸気圧の高いAlI3でなくAlCl3がつかわれるのですか？
0114名も無きマテリアルさん
2005/05/29(日) 23:45:07ない、というかそもそもクロスハッチがでたら光デバイスとしては無意味じゃね
0115名も無きマテリアルさん
2005/06/07(火) 23:13:28絶縁膜には何がいいの？
調べると色々あって迷う。
0116名も無きマテリアルさん
2005/06/15(水) 17:05:440117777
2005/06/29(水) 17:18:26ワロタ
0118名も無きマテリアルさん
2005/07/04(月) 00:26:56Inが枯渇したら君の時代ですよ。
0119名も無きマテリアルさん
2005/07/04(月) 09:52:47好調らしい。これどこ？
0120774& ◆RJ3P8q/ogc
2005/07/04(月) 11:00:300121名も無きマテリアルさん
2005/12/08(木) 19:00:13http://news18.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1134033670/
0122名も無きマテリアルさん
2005/12/14(水) 01:20:320123名も無きマテリアルさん
2005/12/14(水) 17:57:35半導体の材料でLow ｋ材てありますが
なぜポーラスなでしょうか
教えてください お願いします。
0124名も無きマテリアルさん
2005/12/14(水) 21:13:45GaAs基盤にエピ成長させているっぽい。
ttp://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0302/idf03.htm
でも、GaAsとInSbって格子定数の差が20%あるんだが、
そんなんでエピ成長できるのが不思議だ。
0125名も無きマテリアルさん
2005/12/14(水) 22:58:55細かいことだけど、Low-k材全部がPorousではなかったと思うぞ
Low-k材のk値をより小さくするためのPorous化なんだし
で、なんでPorousかというと、空気を含んでるから
空気のk値は1.0と非常に低い
だから、Low-k材を穴あき（Porous）にすれば、空気を含んでる分k値が下がるという訳
0126名も無きマテリアルさん
2005/12/24(土) 22:00:100127名も無きマテリアルさん
2005/12/30(金) 01:53:32中国ではネオジウム鉄ボロン系？で堅調みたいだけど。
0128名も無きマテリアルさん
2006/01/22(日) 19:08:240129あぼーん
NGNG0130名も無きマテリアルさん
2007/03/03(土) 11:03:190131名も無きマテリアルさん
2007/07/14(土) 00:48:37ゲート長が短いと基板を流れる電流が増えるらしいのですが
どういう原理でそうなるのか分からず困っております
分かる方いらっしゃいましたらご教授お願いします
0132名も無きマテリアルさん
2007/07/16(月) 01:40:440133名も無きマテリアルさん
2007/07/16(月) 23:57:11見事な分子線エピタキシャル成長だぜ
>131
短チャネル効果で調べれば答えが出るんじゃないかな
0134名も無きマテリアルさん
2007/07/17(火) 01:20:58酸化膜しっかり飛んでる？
それでも変な方位で成長してなければクロスハッチはでないか・・・
0135133
2007/07/18(水) 16:37:20ほんと弱りましたw
0136名も無きマテリアルさん
2007/07/29(日) 23:14:3700137名も無きマテリアルさん
2007/09/10(月) 23:01:120138名も無きマテリアルさん
2007/09/11(火) 15:17:55今は 全く違う仕事をしているので状況がよくわからないのですが、化合物
半導体って（青色以外は）あまり盛り上がってないんですか？
0139名も無きマテリアルさん
2007/09/13(木) 02:37:210140名も無きマテリアルさん
2007/10/07(日) 01:54:37赤外で盛り上がってます。
それも長波でwww
0141名も無きマテリアルさん
2007/10/16(火) 19:17:28死ねばいいのに。
0142名も無きマテリアルさん
2007/10/17(水) 00:18:580143名も無きマテリアルさん
2007/10/26(金) 16:24:21非常に基礎的なことなのでしょうが，どのような文献を参考にしたらよいですか？
0144名も無きマテリアルさん
2007/10/29(月) 00:28:50そんなわけないですよね。それともエピ自体しないんでしょうかね。
教えてエロイ人
0145名も無きマテリアルさん
2009/09/10(木) 18:46:100146名も無きマテリアルさん
2009/09/10(木) 23:53:14■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています