InNのバンドギャップが0.8eVのおかげで、InN、GaN、AlNもしくはこれらの混晶で
良い品質のものが出来たら多分、As、P系の半導体はほとんど使われなくなりそう。
生き残るとしたら1eV以下の赤外線検出器ぐらいかな．．．