1ではないが、DQNなためか、Alの蒸着がうまくいかんことがある。
ｱﾝﾀﾗの知ってる限りを教えれくれ。コツでも何でも良い。
現在の手順は以下の通り。

目的：GaAs、GaP、InP他、III-V族化合物半導体へのｼｮｯﾄｷｰ接触
方法：抵抗加熱
詳細：Taボート使用。ボートDEGAS後、前処理済みの試料をチャンバに。
　　　　真空度2E-6Torrで蒸着開始。膜厚は水晶振動子にてﾓﾆﾀ。
　　　　膜厚300nm程度。φ300um-1mm。金属マスク使用。成膜速度は適当、、。
　　　　蒸着源から試料までの距離は25cm程度。
症状：C-V測定で逆バイアスを増加させたらCが一時的にデカクなった。
　　　　（0V→-1Vくらいで増加、-1V以降は減少）
　　　　同時に蒸着した電極はほぼ全て同じ症状。
　　　　同試料を別日に再蒸着したりすると、問題なかったりする。
　　　　さらに、1/C^2を掃引して求めたVbiが明らかに変な値（40eVとか）。
ちなみにNdはホール測定の値に近い値となっていﾏｽ。

以上、ご指摘いただきたい。大事な試料をこれ以上無駄にできん。
成膜速度はどれくらいが適当ですか？真空度はもっと良い方が良いですか？
逆バイアス増でCが増加するって、何が考えられますか？（思い当たる節はナシ）
Vbiがおかしくなることってあるんですか？（思いあたる節は一点ある）
AlよりもAuのが良いですか？TaボートとかWボートは普通は使用しないですか？

マジDQNでスイマセン。半年ほど自分で調べようと頑張りましたが、
できませんでした。教えてください。