低熱膨張ガラスにイオンビームを利用してSi蒸着させてます。ガス種はアルゴンです。
昨日の実験で蒸着した場所が逆に掘れていました。
加工痕は基準面より-90nm程度でした。
以前スライドガラスに蒸着させたところ問題なく蒸着されたのですが・・・。
この場合の考えられる原因はなんでしょうか？
先輩方は分からないそうです。