ゲート絶縁膜としてSiNの未来はないと思いますが、素子分離などで使われるのではないでしょうか

話は変わりますがIntelが0.8nmのゲート絶縁膜を作製したということを聞きましたが、そんなに薄くなるとF-Nリーク電流だけでなくトンネル電流が増大する気がするのですが実用化できるのでしょうか？