ゲート絶縁膜
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0002名も無きマテリアルさん
NGNG0003名も無きマテリアルさん
NGNG0004電子屋
NGNGしかし何故、酸窒化Siが酸化Siよりバリア効果(ゲート電極材料がゲート絶縁膜中へ拡散するのを防ぐ)があるのかわかりません。
結合エネルギーから考えても酸化Siのほうが強いと思うのですが...
早く使えるhigh-k材料が開発されて欲しいです。
0005名も無きマテリアルさん
NGNG確かにSi-O結合の方がSi-N結合より強いが,それは個々の結合についての
話。SiO2は,全体の網目構造を見たとき隙間だらけ。窒素を入れてくと,その隙間がだんだん埋まっていくらしい。
0006名も無きマテリアルさん
NGNG>>4
インテル、AMD、IBMじゃ実用段階・・・。
0007電子屋
NGNG>>6さん
ハフニア、ジルコニアはどうやって成膜するのですか?
0008名も無きマテリアルさん
NGNG6ではないですが…
やはりCVDになってきている模様です
扱いやすいそれらのシリケートから実用化されていくのではないかと思います。
0009名も無きマテリアルさん
NGNG実用段階までいってないだろ?
来年ぐらいじゃないの?
0010かおりん祭り ◆KAORinK6
NGNG( ^▽^) < 新スレおめでとうございまーす♪
= ⊂ ) \_______
= (__/"(__) トテテテ...
0011名も無きマテリアルさん
NGNG0012電子屋
NGNG話は変わりますがIntelが0.8nmのゲート絶縁膜を作製したということを聞きましたが、そんなに薄くなるとF-Nリーク電流だけでなくトンネル電流が増大する気がするのですが実用化できるのでしょうか?
0013名も無きマテリアルさん
NGNGそれこそ絶縁膜をどうしてるかが、ミソ。
0014名も無きマテリアルさん
NGNG仮に一年後としても、
日本のMIRAI、ASKAを合わせたところで、
到底、追いつきません。
0015名も無きマテリアルさん
NGNGまあがんばるこった。
HighKもLowKもまだみんな迷ってる。
とかいってみるテスト。
0016名も無きマテリアルさん
NGNG確かにミライもアスカも頑張ってはいるが、
いかんせん、インテルやIBMとの差がでかい。
ほんとうにでかい。
俺はSi系じゃないけどね。
0017名も無きマテリアルさん
NGNG大学の先生の覇権争いだと思うのは私だけ?
東北大のO先生もがんばっているけど。
日本の半導体を本当に復活させる気があるとは思えない。
どうかんがえたって、セマテックに勝てない。
恥をしのんで今からセマテックに加盟したら、日本のデバイスメーカ。
0018Albertus_Magnus
NGNG0019名も無きマテリアルさん
NGNG0020名も無きマテリアルさん
NGNG変わったところ(というか本邦初?)では、
応物でEPMAの低エネルギー版を使ったのを発表している人がいた。
XPSとの比較で使っていた。
聞いたところによると、インテルやセマテックも使ってるらしい。
0021名も無きマテリアルさん
NGNGあればオールオッケーさ!
あ、あれれ、彼のNatureの論文って捏造なの?ぐはぁ。
0022名も無きマテリアルさん
NGNG0023名も無きマテリアルさん
NGNG各所でセッションが縮小されてかなP・・・。
0024名も無きマテリアルさん
NGNGそもそも、セマテックと競う発想からして間違っている。
ゲート絶縁膜のホットなアプリは、CPU等のロジックだろ。
アプリを展開する能力なしで、ゲート絶縁膜の能力上げたって
まったく意味無し。
>>12
酸化膜なしでSiNをゲートとして使えると、当面、high-kは要らなくなる。
これO見教授の持論。
ハフニアとかジルコニアは、既に終わっている。今は、ランタンとか
に焦点が移っているだろ。
0025おぶしんすきい
NGNG0026
NGNG0027名も無きマテリアルさん
NGNG0028名も無きマテリアルさん
NGNGランタンなんてはやんねーんだYO
ランタニド系はシリコンとの間に中間層ができやすくて
今の技術じゃつかいにくいんだYO
0029名も無きマテリアルさん
NGNG0030名も無きマテリアルさん
NGNGhttp://www.hcn.zaq.ne.jp/hg-presents/eternal/blues/
0031名も無きマテリアルさん
NGNG0032名も無きマテリアルさん
NGNG0034山崎渉
NGNG0035high-k材料
NGNG0036幹部社員様@F通電デバ
NGNG卑しい身分のすることだね
現代のエタ・ヒニンだよお前らは
ひゃっひゃっひゃ、傑作傑作
0037kratos
NGNG0038名も無きマテリアルさん
NGNGC-Vの理想曲線を求めて、その傾きの違いから求める方法は知ってるのですが、
界面のシリケイト層などの影響で理想曲線が求まらない以上この方法は使えないと思うのです。
詳しい方いらっしゃったら、説明よろしくお願いいたします。参考文献などを教えていただくとなお有難いです。
0039名も無きマテリアルさん
NGNGhttp://bbs.1oku.com/bbs/bbs.phtml?id=rantyan
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0041山崎渉
NGNG0042山崎渉
NGNG0043山崎渉
NGNG( ^^ )< ぬるぽ(^^)
0044山崎渉
NGNG0045山崎 渉
NGNG__∧_∧_
|( ^^ )| <寝るぽ(^^)
|\⌒⌒⌒\
\ |⌒⌒⌒~| 山崎渉
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0046名も無きマテリアルさん
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0048名も無きマテリアルさん
NGNG素材として利用するなら掲示板に書き込みと直リンクはゼーッタイ禁止です。
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0049直リン
NGNG0050山崎 渉
NGNG__∧_∧_
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0051山崎 渉
NGNG│ ^ ^ │<これからも僕を応援して下さいね(^^)。
⊂| |つ
(_)(_) 山崎パン
0052名も無きマテリアルさん
NGNG0053blja
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0054名も無きマテリアルさん
NGNG0055飯泉政直
NGNG0056名も無きマテリアルさん
NGNG応物のHigh-kセッション、満員で入れなかったよ。教室が狭すぎ。
初日のシンポジウムは大教室でゆったりだったけどね。
0057名も無きマテリアルさん
NGNG0058名も無きマテリアルさん
NGNG0059名も無きマテリアルさん
NGNG0060名も無きマテリアルさん
NGNG遅レスで申し訳ない。
MRSってどんな感じですかね?
ECSと比較して厳格だったり予稿通りづらかったり
発表の雰囲気が厳しかったりします?
0061名も無きマテリアルさん
NGNGAPSの方がよっぽど堅そうだけど。
0062名も無きマテリアルさん
NGNG実は全然詳しくないんですが
あんまりお堅い所だと気が引けるなぁ〜て感じでして。。
厳格なところよりはごちゃまぜで楽しそうって方が良いですね〜
0063名も無きマテリアルさん
2005/04/19(火) 23:05:440064名も無きマテリアルさん
2005/11/15(火) 23:46:340065名も無きマテリアルさん
2005/12/30(金) 18:35:100066名も無きマテリアルさん
2006/03/01(水) 22:42:300067PVD初心者!
2006/04/03(月) 09:58:16はありませんか?
0068ad
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2006/04/26(水) 19:52:180070段差1u
2006/05/08(月) 22:04:50いっせんまんえんだって
0071名も無きマテリアルさん
2007/05/07(月) 22:02:440072名も無きマテリアルさん
2007/07/21(土) 10:18:280073名も無きマテリアルさん
2007/08/25(土) 13:46:15半導体製造会社にもHight-Kを使用するプロセスでの量産化
試験をやろうとしているところもあるみたいだし。
スレがたって約5年・・・・。
日本ではどのhight-K材料がメインになってるんだろ?
0074名も無きマテリアルさん
2007/10/31(水) 01:17:340075名も無きマテリアルさん
2009/03/09(月) 14:37:090076FFcJGYfnhZsugP
2009/10/23(金) 02:06:350077名も無きマテリアルさん
2009/10/23(金) 07:58:510078名も無きマテリアルさん
2010/04/18(日) 01:49:41■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています