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ゲート絶縁膜

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0001 NGNG
high-k材料、酸窒化Siについて語ってください。
0002名も無きマテリアルさんNGNG
おまえが先に語れや
0003名も無きマテリアルさんNGNG
>>1 早く書いて
0004電子屋NGNG
酸窒化SiはSiと相性がいいでしょうが誘電率が酸化Siと大差ないのでは?
しかし何故、酸窒化Siが酸化Siよりバリア効果(ゲート電極材料がゲート絶縁膜中へ拡散するのを防ぐ)があるのかわかりません。
結合エネルギーから考えても酸化Siのほうが強いと思うのですが...

早く使えるhigh-k材料が開発されて欲しいです。
0005名も無きマテリアルさんNGNG
4>>
確かにSi-O結合の方がSi-N結合より強いが,それは個々の結合についての
話。SiO2は,全体の網目構造を見たとき隙間だらけ。窒素を入れてくと,その隙間がだんだん埋まっていくらしい。
0006名も無きマテリアルさんNGNG
MIRAIでも、いまだハフニアかジルコニアで迷ってるとか。

>>4
インテル、AMD、IBMじゃ実用段階・・・。
0007電子屋NGNG
ありがとうございます。

>>6さん
ハフニア、ジルコニアはどうやって成膜するのですか?
0008名も無きマテリアルさんNGNG
>>7

6ではないですが…
やはりCVDになってきている模様です
扱いやすいそれらのシリケートから実用化されていくのではないかと思います。
0009名も無きマテリアルさんNGNG
>>6
実用段階までいってないだろ?
来年ぐらいじゃないの?
0010かおりん祭り ◆KAORinK6 NGNG
〜oノハヽo〜 / ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄
  ( ^▽^) < 新スレおめでとうございまーす♪ 
= ⊂   )   \_______
= (__/"(__) トテテテ...

                  
0011名も無きマテリアルさんNGNG
SiNの未来はある?
0012電子屋NGNG
ゲート絶縁膜としてSiNの未来はないと思いますが、素子分離などで使われるのではないでしょうか

話は変わりますがIntelが0.8nmのゲート絶縁膜を作製したということを聞きましたが、そんなに薄くなるとF-Nリーク電流だけでなくトンネル電流が増大する気がするのですが実用化できるのでしょうか?
0013名も無きマテリアルさんNGNG
>>12
それこそ絶縁膜をどうしてるかが、ミソ。
0014名も無きマテリアルさんNGNG
>>9
仮に一年後としても、
日本のMIRAI、ASKAを合わせたところで、
到底、追いつきません。
0015名も無きマテリアルさんNGNG
>>14
まあがんばるこった。
HighKもLowKもまだみんな迷ってる。

とかいってみるテスト。
0016名も無きマテリアルさんNGNG
>>15
確かにミライもアスカも頑張ってはいるが、
いかんせん、インテルやIBMとの差がでかい。
ほんとうにでかい。

俺はSi系じゃないけどね。
0017名も無きマテリアルさんNGNG
ミライでもアスカでも何でもいいけど、
大学の先生の覇権争いだと思うのは私だけ?
東北大のO先生もがんばっているけど。
日本の半導体を本当に復活させる気があるとは思えない。

どうかんがえたって、セマテックに勝てない。
恥をしのんで今からセマテックに加盟したら、日本のデバイスメーカ。
0018Albertus_MagnusNGNG
ところで、皆さんSiONに限らず膜の元素濃度はどうやって評価していますか?
0019名も無きマテリアルさんNGNG
AES、XPS、EDX等
0020名も無きマテリアルさんNGNG
>>19
変わったところ(というか本邦初?)では、
応物でEPMAの低エネルギー版を使ったのを発表している人がいた。
XPSとの比較で使っていた。
聞いたところによると、インテルやセマテックも使ってるらしい。
0021名も無きマテリアルさんNGNG
ベル研のシェーン(with 神の手)の繰り出すアルミナ膜さえ
あればオールオッケーさ!

あ、あれれ、彼のNatureの論文って捏造なの?ぐはぁ。
0022名も無きマテリアルさんNGNG
神の手って、結局は(以下略)
0023名も無きマテリアルさんNGNG
酸化膜やってます・・・。
各所でセッションが縮小されてかなP・・・。
0024名も無きマテリアルさんNGNG
>>17
そもそも、セマテックと競う発想からして間違っている。
ゲート絶縁膜のホットなアプリは、CPU等のロジックだろ。
アプリを展開する能力なしで、ゲート絶縁膜の能力上げたって
まったく意味無し。

>>12
酸化膜なしでSiNをゲートとして使えると、当面、high-kは要らなくなる。
これO見教授の持論。
ハフニアとかジルコニアは、既に終わっている。今は、ランタンとか
に焦点が移っているだろ。
0025おぶしんすきいNGNG
フッ素入れろゴラア!!
0026 NGNG
酸窒化の方法は何が主流なの?
0027名も無きマテリアルさんNGNG
酸化膜を窒素プラズマに曝して窒素を導入する方法では?
0028名も無きマテリアルさんNGNG
>>24
ランタンなんてはやんねーんだYO
ランタニド系はシリコンとの間に中間層ができやすくて
今の技術じゃつかいにくいんだYO
0029名も無きマテリアルさんNGNG
gate
0030名も無きマテリアルさんNGNG
めっさエロいよ
http://www.hcn.zaq.ne.jp/hg-presents/eternal/blues/
0031名も無きマテリアルさんNGNG
a
0032名も無きマテリアルさんNGNG
http://yahooo.s2.x-beat.com/
0033 NGNG
http://hentai.s1.x-beat.com/
0034山崎渉NGNG
(^^) 
0035high-k材料NGNG
Si基板との相性をよくするために窒化膜上に金属系のhigh-k材料を積層する方法は可能なのだろうか?
0036幹部社員様@F通電デバNGNG
材料なんて手を汚す仕事は
卑しい身分のすることだね
現代のエタ・ヒニンだよお前らは
ひゃっひゃっひゃ、傑作傑作
0037kratosNGNG
時代はイットリウム
0038名も無きマテリアルさんNGNG
MIS構造のC-V特性のヒステリシスから界面準位密度を求める方法がわかりません。

C-Vの理想曲線を求めて、その傾きの違いから求める方法は知ってるのですが、
界面のシリケイト層などの影響で理想曲線が求まらない以上この方法は使えないと思うのです。
詳しい方いらっしゃったら、説明よろしくお願いいたします。参考文献などを教えていただくとなお有難いです。
0039名も無きマテリアルさんNGNG
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0041山崎渉NGNG
(^^)
0042山崎渉NGNG
(^^)
0043山崎渉NGNG
   ∧_∧
  (  ^^ )< ぬるぽ(^^)
0044山崎渉NGNG
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―
0045山崎 渉NGNG

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 |(  ^^ )| <寝るぽ(^^)
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 \ |⌒⌒⌒~|         山崎渉
   ~ ̄ ̄ ̄ ̄
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http://homepage.mac.com/hiroyuki44/jaz09.html
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http://fruit.gaiax.com/home/kuroki9218

素材として利用するなら掲示板に書き込みと直リンクはゼーッタイ禁止です。
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0050山崎 渉NGNG

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0051山崎 渉NGNG
    (⌒V⌒)
   │ ^ ^ │<これからも僕を応援して下さいね(^^)。
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   (_)(_)                      山崎パン
0052名も無きマテリアルさんNGNG
52
0053bljaNGNG
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0054名も無きマテリアルさんNGNG
もっと語ろうじゃないか!!
0055飯泉政直NGNG
age
0056名も無きマテリアルさんNGNG
こんなスレあったのね

応物のHigh-kセッション、満員で入れなかったよ。教室が狭すぎ。
初日のシンポジウムは大教室でゆったりだったけどね。
0057名も無きマテリアルさんNGNG
拝啓材料
0058名も無きマテリアルさんNGNG
絶縁膜関係でなんか適当な海外の学会ってありませんか?
0059名も無きマテリアルさんNGNG
MRSとかは
0060名も無きマテリアルさんNGNG
>>59
遅レスで申し訳ない。
MRSってどんな感じですかね?
ECSと比較して厳格だったり予稿通りづらかったり
発表の雰囲気が厳しかったりします?
0061名も無きマテリアルさんNGNG
MRSはいろいろな分野がごちゃ混ぜで楽しいよ。
APSの方がよっぽど堅そうだけど。
0062名も無きマテリアルさんNGNG
>>61
実は全然詳しくないんですが
あんまりお堅い所だと気が引けるなぁ〜て感じでして。。
厳格なところよりはごちゃまぜで楽しそうって方が良いですね〜
0063名も無きマテリアルさん2005/04/19(火) 23:05:44
n
0064名も無きマテリアルさん2005/11/15(火) 23:46:34
誰もいないな…
0065名も無きマテリアルさん2005/12/30(金) 18:35:10
AFM使ってる人いる?
0066名も無きマテリアルさん2006/03/01(水) 22:42:30
0067PVD初心者!2006/04/03(月) 09:58:16
TiN(PVD)の被膜以外は銀色っぽい色の膜が多いですが、他にPVDで独特な色を持っている被膜
はありませんか?
0068ad2006/04/03(月) 10:31:30
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0070段差1u2006/05/08(月) 22:04:50
○なんとかから・・・レーザーAFMがきた

いっせんまんえんだって
0071名も無きマテリアルさん2007/05/07(月) 22:02:44
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0072名も無きマテリアルさん2007/07/21(土) 10:18:28
La不安定過ぎワラタ
0073名も無きマテリアルさん2007/08/25(土) 13:46:15
一口にhight-K材料っていってもいろんな物質があるんだね。
半導体製造会社にもHight-Kを使用するプロセスでの量産化
試験をやろうとしているところもあるみたいだし。
スレがたって約5年・・・・。
日本ではどのhight-K材料がメインになってるんだろ?
0074名も無きマテリアルさん2007/10/31(水) 01:17:34
第一世代はHfSiONで決まりっぽい
0075名も無きマテリアルさん2009/03/09(月) 14:37:09
保守
0076FFcJGYfnhZsugP2009/10/23(金) 02:06:35
Jabba had some consipiritors doing his dirty work. ,
0077名も無きマテリアルさん2009/10/23(金) 07:58:51
「彼女のゲート絶縁膜が」ってスレかと思ったのに(ガッカリ
0078名も無きマテリアルさん2010/04/18(日) 01:49:41
ぬるぽ
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