>>136
それは効果がないかと。「基板に RF バイアス」というのは、
基板に入射するイオンのエネルギーを大きくすることが目的ですから。

イオン源で叩くのも効果はあるでせう。圧力が高いと散乱しちゃって
だめでしょうが。例えばガンと基板の距離が 10 cm だとすると、
目安として 0.5 Paより低いくらいでないと効果は少ないと思います。

膜を付けるプロセスが問題なのではなく、突いたブツがあればいい、
ということなら、プラズマ溶射などの方が良いかもしれません。