http://journal.mycom.co.jp/news/2008/02/27/044/index.html

半導体製造装置大手の米Applied Materials(以下、AMAT)は26日、記者説明会を開催し、同社が提供する太陽電池製造装置を
用いて製造される薄膜Si太陽電池の変換効率が2008年末ころには10%を達成できる見通しを明らかにした。
こうして製造される太陽電池の多くが結晶Siを用いたもので、市場の9割を占めている。ただし、結晶Siによる太陽電池は変換効率が
10数%と高いものの、厚さが175μm程度と多量のSiを消費するため、材料コストが高いという課題がある。一方、薄膜Si太陽電池は、
厚さを数10μm以下にすることで材料コストを抑えることが可能だが、変換効率が結晶Siのものと比べると低くなるという課題がある。
AMATでは、Siの厚みを薄くしても変換効率が下がらない技術を開発。同技術は、場合によっては「薄くした方が効率が高まる」(同)
場合もあるという。同社の装置により製造される薄膜Si太陽電池の厚みは25μm程度、面積は5.7m2だが、
「FPD製造装置の技術を応用することで、大面積化も可能である」(同)との見方を示した。
また同社では、薄膜Si太陽電池製造の一貫製造ライン「SunFab」の提供を行っている。2007年の受注額は7億ドルで、
2008年第2四半期に3ライン、同第3四半期に7ラインの出荷を予定しており、同ラインを用いて製造された薄膜Si太陽電池製品は
2008年中頃から市場に流通することが見込まれる。
同ラインの製造コストは2種類のSiを用いたタンデム構造の場合で1Wあたり1.5ドルだが、これを「2010年には1ドルへと下げる」(同)
という。製造コスト低減の大きな鍵を握るのが、変換効率の向上だ。現在の変換効率はタンデム構造で9.3%だが、
「2008年末ころには変換効率10%を達成する」(同)としている。また、このほか歩留まり率の向上、材料コストや
ランニングコストの低減などを行うことにより「(1Wあたり)1ドルは実現可能」とした。(一部抜粋)