直接遷移の場合、以下の式が知られていますが、
α=A(E-Eg)^(1/2)
アモルファス半導体では
　　αE=A(e-Eg)^2
っていう式もありますよね。で、間接遷移の時の式も。
では、アモルファスシリコンの場合、たぶん直接遷移だと
思うのですが、どちらを使ったらいいんでしょう？
それとも、私がこの式の意味を理解していない？