エネルギーギャップ
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
0001名も無きマテリアルさん
NGNGα=A(E-Eg)^(1/2)
アモルファス半導体では
αE=A(e-Eg)^2
っていう式もありますよね。で、間接遷移の時の式も。
では、アモルファスシリコンの場合、たぶん直接遷移だと
思うのですが、どちらを使ったらいいんでしょう?
それとも、私がこの式の意味を理解していない?
0002名も無きマテリアルさん
NGNGわからん、俺も知りたい
0003名も無きマテリアルさん
NGNGa-Si:Hの場合はアーバックテイルとかあってややこしいだろ!
アモルファスだから直接遷移だとかいうセンスを何とかしろ。
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています