>>228

んー、より低誘電率な絶縁膜を基板に配線を形成したいわけだから、
SOIとlow-kの同時採用は、順序として妥当だと思うよ。Black Diamondの採用に関して言えば、

Black Diamond, a silicon oxide-based CVD film with k < 2.7, provides a low-risk, cost-effective solution for intermetal dielectric structures that is easily integrated into the dual damascene process flow.
(ref:www.appliedmaterials.com/newsroom/pr-00222.html)
っと開発元も胸張って主張してるくらい(w)。