GALAXY Note 3の性能をベンチマークテストで検証する
http://www.itmedia.co.jp/mobile/spv/1310/21/news083_2.html

テスト評価作業で最も気になったのが、GALAXY Note 3の背面パネルの温度だ。
ベンチマークテストを連続して実行しているうちに熱くなったので、非接触タイプの温度計で測ったところ、
背面パネルの中央で46度、
カメラレンズカバーの金属部分では53度を確認した。
ハンディデバイスではこれまで経験したことのないほどに高温だ。


サムスンがGALAXY Note 3のベンチマーク結果を20％増しにしていたことが発覚
http://gigazine.net/news/20131002-samsung-inflate-benchmarking/
10月から発売が予定されているGALAXY Note 3ですが、ベンチマークアプリを使うと不正な動作をするようにプログラムされており、

20〜50％も結果を水増ししている

ことが明らかになりました。


ちなみにnote3(au版)のantutuスコアは33765。
Xperia Z1のスコアは36887で、世界一をマークした。
Z1がブーストしているという情報は今のところ無いが、仮にやっていたとしてもZ1なら爆熱にならずにこのスコアが出せる。
一方note3は、 表面温度からこれ以上のブーストが不可能なレベルまでブースト済みで、これが限界値だ。
つまり実利用ではZ1の方が速いと期待できる。

ソース
http://rbmen.blogspot.com/2013/09/kddi-augalaxy-note-3-scl22antutu.html?m=1

http://androidken.blog119.fc2.com/blog-entry-2230.html